本文關(guān)鍵詞：過孔的不同干法刻蝕工藝對TFT-LCD性能的影響研究

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【摘要】：為了改善過孔的干法刻蝕中刻蝕率的不同導(dǎo)致SD線和P-Si接觸面積不一致的問題,同時(shí)解決ELA工藝導(dǎo)致PSi表面突起而造成SD與P-Si點(diǎn)狀接觸的問題,探究了過孔的不同干法刻蝕工藝對TFT-LCD性能的影響,從中找出最佳的過孔干法刻蝕工藝。利用京東方產(chǎn)線設(shè)備制備了兩種不同的LTPS陣列樣品,樣品一的過孔工藝采用傳統(tǒng)的底部接觸方式,樣品二采用新的側(cè)面接觸方式,樣品一和樣品二其余的工藝過程一致。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:多點(diǎn)的U-I曲線由發(fā)散變?yōu)榧?電子遷移率有所提高;SEM數(shù)據(jù)表明采用側(cè)面接觸方式能夠完全將P-Si刻穿。采用側(cè)面接觸方式能夠明顯的解決干法刻蝕中刻蝕率的不同導(dǎo)致SD線和P-Si接觸面積不一致的問題,同時(shí)避免了ELA工藝導(dǎo)致P-Si表面突起而造成SD與P-Si點(diǎn)狀接觸的問題,電學(xué)性能有所改善,同時(shí)減少了工藝時(shí)間,提高了產(chǎn)能。
【作者單位】： 鄂爾多斯市源盛光電有限責(zé)任公司;
【關(guān)鍵詞】： 干法刻蝕 側(cè)面接觸方式 過孔 液晶面板 低溫多晶硅技術(shù)
【分類號】：TN305.7;TN873.93
【正文快照】： 1引言液晶面板顯示技術(shù)高速發(fā)展,人們對液晶面板的要求也越來越高[1-2]。低溫多晶硅作為顯示領(lǐng)域新一代的技術(shù),從開發(fā)至今已有十幾年的歷史,利用該技術(shù)的液晶面板具有更快的響應(yīng)速度和更高的分辨率[3-4]。過孔是連接SD線(SourceDrain Line)和P-Si(Polysilicon)的通道,它主要是

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本文編號：594704