針對(duì)電磁波透過(guò)單層介質(zhì)引信天線罩時(shí)出現(xiàn)的方向圖畸變問(wèn)題,提出了基于變厚度設(shè)計(jì)的引信天線罩優(yōu)化方法。該方法首先設(shè)定參考模型,在分析引信天線電磁波透過(guò)天線罩的入射角度后,采用變厚度的優(yōu)化方法,調(diào)整電磁波的入射角,減小入射相位差,以此來(lái)提高電磁波的透射效率,改善引信天線加載天線罩后的方向圖。仿真結(jié)果表明,通過(guò)天線罩內(nèi)壁的變厚度設(shè)計(jì),可以顯著降低天線罩對(duì)天線方向圖的影響。最終優(yōu)化后的天線罩仿真結(jié)果最低輻射角度增益為3.17 dB,沒(méi)有負(fù)值。天線罩在有效波束寬度內(nèi)的傳輸系數(shù)由-73%提高到40%。

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【部分圖文】：

圖1天線罩平板近似示意圖

式(1)、式(2)中,ε1=ε0=8.85×10-12F/m。天線罩材料為聚四氟乙烯(Teflon),其相對(duì)介電常數(shù)為εr=2.1(ε2=εrε0)。圖2平面波在平板上的反射情況

圖2平面波在平板上的反射情況

圖1天線罩平板近似示意圖從上面的兩種情況可以看出:不論天線發(fā)射的電磁波極化方式如何,θi在-90°～0°范圍內(nèi),cosθi逐漸增大,且大于0;sinθi逐漸增大,且小于0。θi在0°～90°的范圍內(nèi),cosθi逐漸減小,且大于0;sinθi逐漸減小,且大于0。兩種極化方....

圖3參考模型

K波段引信天線罩設(shè)計(jì)首先需要確定天線輻射源的形式及相對(duì)引信天線罩的位置關(guān)系。本文所采用引信與天線的位置關(guān)系如圖3所示,發(fā)射天線與接收位于天線軸兩側(cè)。研究發(fā)射天線在加載天線罩后的電磁輻射特性,就能夠?qū)μ炀�罩影響做出分析。本文仿真使用是K波段具有微帶-波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)的雙面階梯波導(dǎo)口天線....

圖4參考模型的加工實(shí)物圖

研究發(fā)射天線在加載天線罩后的電磁輻射特性,就能夠?qū)μ炀�罩影響做出分析。本文仿真使用是K波段具有微帶-波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)的雙面階梯波導(dǎo)口天線[7],發(fā)射天線波束寬度H面方向圖(φ=0°)為108.44°,E面方向圖(φ=90°)為62.82°。天線位置的偏向放置必然導(dǎo)致輻射方向圖的不均勻....

本文編號(hào)：3896490