后摩爾時代,從有源相控陣天線走向天線陣列微系統(tǒng)
發(fā)布時間:2023-11-04 14:04
本文圍繞高分辨率對地微波成像雷達對天線高效率、低剖面和輕量化的迫切需求,分析研究了有源陣列天線的特點、現(xiàn)狀、趨勢和瓶頸技術(shù),針對對集成電路后摩爾時代的發(fā)展預(yù)測,提出了天線陣列微系統(tǒng)概念、內(nèi)涵和若干前沿科學技術(shù)問題,分析討論了天線陣列微系統(tǒng)所涉及的微納尺度下多物理場耦合模型、微波半導體集成電路、混合異構(gòu)集成、封裝及功能材料等關(guān)鍵技術(shù)及其解決途徑,并對天線陣列微系統(tǒng)在下一代微波成像雷達中的應(yīng)用進行了展望.
【文章頁數(shù)】:19 頁
【文章目錄】:
1 引言
2 有源陣列天線特點和瓶頸
2.1 有源陣列天線技術(shù)是提升微波成像雷達性能的重要途徑
2.2 有源陣列天線有利于提高微波成像雷達抗干擾能力
2.3 有源陣列天線有利于實現(xiàn)微波成像雷達的標準化、模塊化
3 有源陣列天線與天線陣列微系統(tǒng)
3.1 有源陣列天線發(fā)展現(xiàn)狀
3.2 天線陣列微系統(tǒng)概念和內(nèi)涵
3.3 天線陣列微系統(tǒng)與常規(guī)微系統(tǒng)之間關(guān)系
4 天線陣列微系統(tǒng)的若干前沿科學技術(shù)問題
4.1 多物理場約束下架構(gòu)與拓撲技術(shù)
4.1.1 多物理場耦合機理
4.1.2 異構(gòu)體電磁特性模型
4.1.3 多維度匹配容差適應(yīng)性
4.2 微波集成電路技術(shù)
4.2.1 第3代半導體集成電路技術(shù)
4.2.2 多功能/低功耗集成電路技術(shù)
4.2.3 智能控制集成電路技術(shù)
4.3 多物理場匹配混合集成技術(shù)
4.3.1 2.5D/3D垂直互連技術(shù)
4.3.2 三維異質(zhì)異構(gòu)微組裝技術(shù)
4.3.3 高密度異質(zhì)多層基板技術(shù)
4.4 封裝與熱管理技術(shù)
4.4.1 多本征參數(shù)適配材料技術(shù)
4.4.2 嵌入式熱管理技術(shù)
4.4.3 陶瓷金屬一體化封裝技術(shù)
5 總結(jié)
本文編號:3860447
【文章頁數(shù)】:19 頁
【文章目錄】:
1 引言
2 有源陣列天線特點和瓶頸
2.1 有源陣列天線技術(shù)是提升微波成像雷達性能的重要途徑
2.2 有源陣列天線有利于提高微波成像雷達抗干擾能力
2.3 有源陣列天線有利于實現(xiàn)微波成像雷達的標準化、模塊化
3 有源陣列天線與天線陣列微系統(tǒng)
3.1 有源陣列天線發(fā)展現(xiàn)狀
3.2 天線陣列微系統(tǒng)概念和內(nèi)涵
3.3 天線陣列微系統(tǒng)與常規(guī)微系統(tǒng)之間關(guān)系
4 天線陣列微系統(tǒng)的若干前沿科學技術(shù)問題
4.1 多物理場約束下架構(gòu)與拓撲技術(shù)
4.1.1 多物理場耦合機理
4.1.2 異構(gòu)體電磁特性模型
4.1.3 多維度匹配容差適應(yīng)性
4.2 微波集成電路技術(shù)
4.2.1 第3代半導體集成電路技術(shù)
4.2.2 多功能/低功耗集成電路技術(shù)
4.2.3 智能控制集成電路技術(shù)
4.3 多物理場匹配混合集成技術(shù)
4.3.1 2.5D/3D垂直互連技術(shù)
4.3.2 三維異質(zhì)異構(gòu)微組裝技術(shù)
4.3.3 高密度異質(zhì)多層基板技術(shù)
4.4 封裝與熱管理技術(shù)
4.4.1 多本征參數(shù)適配材料技術(shù)
4.4.2 嵌入式熱管理技術(shù)
4.4.3 陶瓷金屬一體化封裝技術(shù)
5 總結(jié)
本文編號:3860447
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