針對甚低頻發(fā)射天線頂線絕緣子串電壓分布不均勻極易產(chǎn)生電暈的問題,采用矩量法（method ofmoments,MOM）研究了不同均壓環(huán)管徑、半徑、抬高距以及絕緣子串配置位置對瓷支柱絕緣子串電壓分布的影響,提出了一種應(yīng)用矩量法和蝴蝶交配優(yōu)化算法（butterfly mating optimization,BMO）協(xié)同優(yōu)化頂線絕緣子串均壓環(huán)的新方法。該方法首先建立頂線絕緣子串MOM天線優(yōu)化模型;然后,提取仿真得到的分壓和天線效率并計(jì)算目標(biāo)函數(shù);利用BMO迭代得到頂線絕緣子相對位置和均壓環(huán)結(jié)構(gòu)參數(shù)。仿真結(jié)果表明:頂線絕緣子高壓側(cè)的均壓環(huán)半徑和抬高距對絕緣子電壓分布影響較大,低壓側(cè)配置均壓環(huán)可以使頂線絕緣子串末端絕緣子的分壓降低44.5%;與優(yōu)化前實(shí)測值相比,優(yōu)化后頂線絕緣子串的電壓百分比均方差降低了2.17%,均壓環(huán)最大表面電場小于起暈電場,天線輻射效率提升1.5%。 

【文章來源】：高壓電器. 2020,56(05)北大核心CSCD

【文章頁數(shù)】：8 頁

【部分圖文】：

單均壓環(huán)時(shí)頂線絕緣子串的電壓分布

VLF天線頂線示意圖

以典型的Cutler天線頂線絕緣子串的結(jié)構(gòu)為例[21]，運(yùn)用EDITFEKO[22]建立自由空間中單個(gè)瓷支柱絕緣子串的三維模型。帶單個(gè)均壓環(huán)的瓷支柱頂線絕緣子串計(jì)算模型見圖2。如圖2(a)所示，單個(gè)頂線絕緣子串鉸鏈總長度為3.18 m，包括10個(gè)絕緣子，各絕緣子與套在瓷件的正交環(huán)鉸鏈共同組成整個(gè)絕緣子串，中間單個(gè)環(huán)鉸鏈長度為360 mm，兩端環(huán)鉸鏈長度為240 mm，絕緣子環(huán)及拉線的管徑為16 mm，絕緣子串尾線接地，高壓側(cè)設(shè)置220 kV電壓源，頻率為20 kHz。每個(gè)絕緣子設(shè)置100 MW的負(fù)載電阻，導(dǎo)線、金具和均壓環(huán)相對介電常數(shù)為3.45，介質(zhì)損耗因素為0.005，相對磁導(dǎo)率為μr=1，電導(dǎo)率為σ=3.4×107S/m。2.1 單均壓環(huán)結(jié)構(gòu)頂線絕緣子串電壓分布計(jì)算

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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本文編號(hào)：3620943