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L波段相控陣雷達T/R模塊關(guān)鍵電路設(shè)計

發(fā)布時間:2021-04-27 16:04
  隨著科技的發(fā)展,經(jīng)濟建設(shè)和國防建設(shè)中對相控陣雷達的要求也在不斷地提高,而相控陣雷達的每個天線單元上都設(shè)置有一個T/R模塊,它的好壞將直接影響著雷達的性能。因此作為相控陣雷達中的一個關(guān)鍵部分,T/R模塊(Transmit/Receive Module)也越來越受到人們的關(guān)注。本文中介紹了相控陣雷達T/R模塊的基本結(jié)構(gòu)和工作原理以及T/R模塊中的關(guān)鍵電路,如:功率放大器(PA)、低噪聲放大器(LNA)和移相器(PS)。當T/R模塊工作在發(fā)射狀態(tài)下,通常需要由移相器來改變改變天線單元之間信號的相位關(guān)系,而在T/R模塊中的移相器之后通常還會有一個低噪聲放大器,低噪聲放大器會提供一個大的增益用來放大天線的發(fā)射信號,并且抑制后面模塊產(chǎn)生的噪聲。當T/R模塊工作在接收狀態(tài)時,主要由組件中的功率放大器接收信號,需要采用功率放大器來將接收到的微小電磁波信號的功率放大,用以后續(xù)的處理及分析。本文采用微帶線技術(shù)設(shè)計了L波段(1.2-2.0GHz)的A類功率放大器、低噪聲放大器和6位移相器,并采用并根據(jù)原理圖設(shè)計的結(jié)果畫出電路版圖進行仿真。其中,利用微帶線技術(shù)設(shè)計的功率放大器的小信號增益大于15.3dB,輸出... 

【文章來源】:北京交通大學北京市 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】:131 頁

【學位級別】:碩士

【文章目錄】:
致謝
摘要
ABSTRACT
1 引言
2 相控陣雷達T/R模塊
    2.1 T/R模塊的組成
    2.2 T/R模塊的主要技術(shù)指標
    2.3 小結(jié)
3 T/R模塊關(guān)鍵電路分析
    3.1 低噪聲放大器
        3.1.1 二端口網(wǎng)絡(luò)噪聲模型分析
        3.1.2 低噪聲放大器的設(shè)計指標
    3.2 功率放大器
        3.2.1 A類、B類、AB類、C類功率放大器
        3.2.2 D類、E類放大器
    3.3 移相器
        3.3.1 移相器原理
        3.3.2 移相器技術(shù)指標
        3.3.3 移相器的分類
    3.4 小結(jié)
4 T/R模塊關(guān)鍵電路設(shè)計與仿真
    4.1 功率放大器設(shè)計與仿真
        4.1.0 功率放大器的參數(shù)的計算
        4.1.1 直流仿真
        4.1.2 小信號仿真
        4.1.3 大信號HB仿真
        4.1.4 版圖設(shè)計
        4.1.5 后仿真
    4.2 低噪聲放大器設(shè)計與仿真
        4.2.1 直流仿真
        4.2.2 S參數(shù)仿真
        4.2.3 版圖設(shè)計
        4.2.4 LNA后仿真
    4.3 基于微帶線的6位移相器設(shè)計與仿真
        4.3.1 5.625°移相器
        4.3.2 11.25°移相器
        4.3.3 22.5°移相器
        4.3.4 45°移相器
        4.3.5 90°移相器
        4.3.6 180°移相器
    4.4 基于0.18μm CMOS的6位移相器設(shè)計與仿真
        4.4.1 5.625°移相器
        4.4.2 11.25°移相器
        4.4.3 22.5°移相器
        4.4.4 45°移相器
        4.4.5 90°移相器
        4.4.6 180°移相器
    4.5 小結(jié)
5 結(jié)論
參考文獻
附錄A
附錄B
附錄C
附錄D
附錄E
附錄F
附錄G
附錄H
作者簡歷
學位論文數(shù)據(jù)集


【參考文獻】:
期刊論文
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本文編號:3163758

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