提出了一種新型超級(jí)結(jié)MOSFET結(jié)構(gòu),通過(guò)優(yōu)化Si表面漂移區(qū)的雜質(zhì)分布以抑制器件的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)效應(yīng),改善器件特性。首先通過(guò)技術(shù)計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)(TCAD)模擬并對(duì)比了新型超級(jí)結(jié)MOSFET和現(xiàn)有超級(jí)結(jié)MOSFET的電場(chǎng)強(qiáng)度分布、柵漏耦合電容隨漏極電壓的變化和開(kāi)關(guān)過(guò)程,發(fā)現(xiàn)600 V新型超級(jí)結(jié)MOSFET比現(xiàn)有600 V超級(jí)結(jié)MOSFET的擊穿電壓提高了15 V、比導(dǎo)通電阻減小約3%,開(kāi)關(guān)特性得到了大幅改善,器件關(guān)斷時(shí)漏極電壓尖峰降低41 V,柵極電壓尖峰降低10 V。該新型超級(jí)結(jié)MOSFET在國(guó)內(nèi)晶圓制造平臺(tái)上成功制作,獲得了優(yōu)異的器件性能。在300 W有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)電視電源板上進(jìn)行替代縱向雙擴(kuò)散MOSFET(VDMOSFET)的對(duì)比測(cè)試,發(fā)現(xiàn)電源系統(tǒng)使用該新型超級(jí)結(jié)MOSFET比使用現(xiàn)有超級(jí)結(jié)MOSFET,其電磁干擾(EMI)性能改善了4.32～5.8 dB;與使用VDMOSFET相比,在保持EMI性能同等水平的同時(shí),系統(tǒng)效率提高了0.52%。 

【文章來(lái)源】：半導(dǎo)體技術(shù). 2020年12期 北大核心

【文章頁(yè)數(shù)】：9 頁(yè)

【文章目錄】：
0 引言
1 超級(jí)結(jié)MOSFET的優(yōu)勢(shì)
2 新型超級(jí)結(jié)MOSFET
3 實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證
4 結(jié)論


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]超結(jié)VDMOS漂移區(qū)的幾種制作工藝[J]. 馬萬(wàn)里,趙圣哲.  半導(dǎo)體技術(shù). 2014(09)
[2]超級(jí)結(jié)深溝槽填充工藝及其對(duì)器件性能的影響[J]. 雷海波,肖勝安,劉繼全,王飛.  固體電子學(xué)研究與進(jìn)展. 2014(03)



本文編號(hào)：2942600