KDP晶體調(diào)Q高壓電源研究
【學(xué)位單位】:長春理工大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位年份】:2019
【中圖分類】:TN86
【部分圖文】:
圖 2-1 普克爾盒結(jié)構(gòu)示意圖.2)帶入到(2.3)得:dSdSCrεεε0= =2.4)中, 是相對介電常熟rε 真空介電常數(shù)0ε ,并且 S 是電d 正電極和負(fù)電極之間的距離從式(2.4)中可以看出,普克器的電容的電容C 含量,會隨著介電常數(shù)ε 的絕對值變化,當(dāng)增大。當(dāng)平行板電容器兩端電極的面積 S 增大時,電容 C 也會式(2.4)我們可以看出正負(fù)極板的距離d 成反比關(guān)系,電離d 的增加而逐漸減小。,采用一塊 5mm×10mm×3mm 的普克爾盒(24KD PO)電光晶為 21),普克爾盒的正負(fù)電極是貼片的所以我們將它近似的面積,所以普克爾盒的等效電容C 等于:C = 3.1pF爾盒調(diào) Q 高壓電源的組成及其性能要求
2.5)2.2 普克爾盒調(diào) Q 高壓電源的組成及其性能要求2.2.1 普克爾盒調(diào) Q 高壓電源的組成普克爾盒調(diào) Q 高壓電源是由升壓電路退高壓電路及信號源組成。其原理如圖2-2 所示。升壓電路可以生成一個高壓,且其具有十分穩(wěn)定并且可調(diào)的特點。根據(jù)電光晶體的電容特性可知,它的等效電容值很。s 3.7PF)且負(fù)載輕,因此可
圖 2-3 普克爾盒縱向電光調(diào) Q 實驗2.3 電光調(diào) Q 電源基本理論分析2.3.1 普克爾盒對電光調(diào) Q 影響分析調(diào) Q 的速率方程是一組方程,是電光晶體調(diào) Q 的基本理論,其描述了激光腔中受激光子的數(shù)量和晶體棒摻雜的工作物質(zhì)的能級中的粒子數(shù)反轉(zhuǎn)的數(shù)量隨時間的變化。速率方程一般用于對激光形成和期間參數(shù)選擇進(jìn)行計算分析。根據(jù)這些關(guān)系式,可以確定調(diào) Q 脈沖的峰值功率、脈沖寬度、調(diào) Q 激光產(chǎn)生的時間和粒子數(shù)反轉(zhuǎn)四個參數(shù)之見互相影響。由于工作物質(zhì)粒子數(shù)和腔內(nèi)光子數(shù)之間存在互相影響,建立激光形成的速率方程[13]。調(diào) Q 激光振蕩的速率方程表達(dá)式如下:δφφδφ(1)2 ΔΔ=ΔΔ= Δttnndtdnndtdn(2.14)
【參考文獻(xiàn)】
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本文編號:2824097
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