自偏置PLL電源噪聲敏感度分析
【圖文】:
22RICKπN。若不存在VCO調(diào)整器電路,regH(s)為1,全部電源噪聲將傳遞到VCO的控制電壓上,regH(s)的峰值頻率接近PLL的自然頻率nω,此時(shí)SNR惡化。SBPLL中加入了復(fù)制偏置電路(replicabiasingcircuit)作為調(diào)整器,以提升抖動(dòng)性能。2.2SBPLL的復(fù)制偏置調(diào)整器電路圖2所示為文獻(xiàn)[2]中采用的SBPLL電路,CP1和CP2為兩個(gè)相同的電荷泵,對(duì)各自的電容充電,,fs1V和fs2V分別為兩個(gè)電荷泵產(chǎn)生的控制電壓。一個(gè)單刀雙擲開關(guān)在CP1和CP2的輸出之間切換,以保證開關(guān)右側(cè)電壓不會(huì)突變,并通過采樣濾波網(wǎng)絡(luò)圖1SBPLL的小信號(hào)模型框圖減小定性抖動(dòng)的影響,產(chǎn)生控制電壓cV?刂齐妷篶V經(jīng)過線框中復(fù)制偏置調(diào)整器電路的處理產(chǎn)生兩個(gè)偏置電壓VBP和VBN,前者為VCO的PMOS負(fù)載提供偏置,后者則為VCO的尾電流源提供偏置。在鎖定狀態(tài)下,cV,fs1V和fs2V相等,因而只分析復(fù)制偏置調(diào)整器電路,如圖3(a)所示,M3和M4是VCO對(duì)稱負(fù)載的一半復(fù)制品。相位誤差信息儲(chǔ)存在C1中,由電荷泵電流充電到電壓cV,由跨導(dǎo)運(yùn)算放大器(OTA)和M1構(gòu)成的負(fù)反饋回路保證A點(diǎn)電壓與cV相等。電容C2用于環(huán)路補(bǔ)償,VBP和VBN用于為VCO提供偏置。電容Cp表示寄生電容,如OTA固有的柵極電容,由導(dǎo)線連接到cV。已知對(duì)稱負(fù)載R和ddVVBP成反比[2],因此電源噪聲敏感度可以由ddVVBP和ddV的比值來決定。SBPLL的復(fù)制偏置調(diào)整器的小信號(hào)模型如圖3(b)所示,mG為OTA的等效跨導(dǎo),or為OTA的輸出阻抗。值得一提的是當(dāng)PLL在鎖定狀態(tài)下,電荷泵開關(guān)只在參考時(shí)鐘周期的一小部分時(shí)間內(nèi)開啟,因此假設(shè)cV點(diǎn)開路是合理的。整個(gè)電路有兩個(gè)重要的極點(diǎn),一個(gè)在OTA的輸出端,另一個(gè)在regV。由于OTA的高輸出阻?
?1)所示[15]。regVCOoutnVCOCPnregVCO22nn()()()()()12()2sHsKsHsKIFsVsNssHsKssθζωω==+π=++(1)其中,1()sRCFssC+=,CPVCOn2IKCNω=π,ζ=CPVCO22RICKπN。若不存在VCO調(diào)整器電路,regH(s)為1,全部電源噪聲將傳遞到VCO的控制電壓上,regH(s)的峰值頻率接近PLL的自然頻率nω,此時(shí)SNR惡化。SBPLL中加入了復(fù)制偏置電路(replicabiasingcircuit)作為調(diào)整器,以提升抖動(dòng)性能。2.2SBPLL的復(fù)制偏置調(diào)整器電路圖2所示為文獻(xiàn)[2]中采用的SBPLL電路,CP1和CP2為兩個(gè)相同的電荷泵,對(duì)各自的電容充電,fs1V和fs2V分別為兩個(gè)電荷泵產(chǎn)生的控制電壓。一個(gè)單刀雙擲開關(guān)在CP1和CP2的輸出之間切換,以保證開關(guān)右側(cè)電壓不會(huì)突變,并通過采樣濾波網(wǎng)絡(luò)圖1SBPLL的小信號(hào)模型框圖減小定性抖動(dòng)的影響,產(chǎn)生控制電壓cV?刂齐妷篶V經(jīng)過線框中復(fù)制偏置調(diào)整器電路的處理產(chǎn)生兩個(gè)偏置電壓VBP和VBN,前者為VCO的PMOS負(fù)載提供偏置,后者則為VCO的尾電流源提供偏置。在鎖定狀態(tài)下,cV,fs1V和fs2V相等,因而只分析復(fù)制偏置調(diào)整器電路,如圖3(a)所示,M3和M4是VCO對(duì)稱負(fù)載的一半復(fù)制品。相位誤差信息儲(chǔ)存在C1中,由電荷泵電流充電到電壓cV,由跨導(dǎo)運(yùn)算放大器(OTA)和M1構(gòu)成的負(fù)反饋回路保證A點(diǎn)電壓與cV相等。電容C2用于環(huán)路補(bǔ)償,VBP和VBN用于為VCO提供偏置。電容Cp表示寄生電容,如OTA固有的柵極電容,由導(dǎo)線連接到cV。已知對(duì)稱負(fù)載R和ddVVBP成反比[2],因此電源噪聲敏感度可以由ddVVBP和ddV的比值來決定。SBPLL的復(fù)制偏置調(diào)整器的小信號(hào)模型如圖3(b)所示,mG為OTA的等效跨
【相似文獻(xiàn)】
相關(guān)期刊論文 前10條
1 Tamara Schmitz;Dave Ritter;;用磁珠降低電源噪聲[J];中國電子商情(基礎(chǔ)電子);2010年06期
2 屈靠學(xué);;小電壓電源噪聲的測量[J];電子產(chǎn)品世界;2011年08期
3 黃晴明;;電源噪聲干擾與凈化技術(shù)[J];電氣工程應(yīng)用;1988年03期
4 寇寶泉;崔淑梅;張千帆;程樹康;;降低開關(guān)電源噪聲的對(duì)策[J];電工技術(shù);2000年03期
5 王恒,鐘恭良;音響工程中電源噪聲的來源及其對(duì)策[J];電聲技術(shù);1997年12期
6 李廷軍,林雪原,周文松,徐柯文;開關(guān)電源噪聲的抑制技術(shù)[J];現(xiàn)代電子技術(shù);2001年02期
7 ;其它電路與技術(shù)[J];電子科技文摘;2000年09期
8 劉建強(qiáng);;開關(guān)電源噪聲的抑制和測量[J];現(xiàn)代雷達(dá);1992年04期
9 代樂榮;;開關(guān)電源噪聲的產(chǎn)生與抑制[J];山西電子技術(shù);2012年04期
10 楊明;;開關(guān)電源噪聲的形成及抑制方法[J];艦船電子對(duì)抗;2006年03期
相關(guān)會(huì)議論文 前1條
1 唐本紅;;淺談電源噪聲及其濾除[A];《IT時(shí)代周刊》論文專版(第300期)[C];2014年
相關(guān)碩士學(xué)位論文 前5條
1 楊華;電源噪聲引起CMOS鎖相環(huán)的周期抖動(dòng)研究[D];西安電子科技大學(xué);2014年
2 王志俊;基于電磁帶隙結(jié)構(gòu)的高速PCB電路中電源噪聲抑制的研究[D];哈爾濱工業(yè)大學(xué);2016年
3 張根;高速數(shù)字電路設(shè)計(jì)中電源噪聲抑制的研究[D];西安電子科技大學(xué);2015年
4 王奕婷;數(shù)字鎖相環(huán)的電源噪聲靈敏度分析[D];西安電子科技大學(xué);2013年
5 周大力;高速數(shù)字系統(tǒng)中電源噪聲的抑制方法[D];西安電子科技大學(xué);2014年
本文編號(hào):2686126
本文鏈接:http://sikaile.net/kejilunwen/xinxigongchenglunwen/2686126.html