【摘要】：高級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù)(Advanced Super Dimension Switch,簡稱ADS)是以寬視角技術(shù)為代表的核心技術(shù)統(tǒng)稱,其顯示模式過大的存儲電容(C_(st))成為限制Dual Gate GOA 4K TV應(yīng)用的主要因素。在較短的充電時間內(nèi),像素為了維持相同的充電率,需要降低C_(st)。本文采用一種雙條形電極ADS結(jié)構(gòu)(Dual Slit ADS),其中像素電極與公共電極交疊區(qū)域形成ADS結(jié)構(gòu),像素電極與公共電極間隔區(qū)域形成共面轉(zhuǎn)換(IPS)結(jié)構(gòu),通過減少像素電極與公共電極的交疊面積,起到降低ADS模式C_(st)的目的。模擬結(jié)果表明:當(dāng)ADS顯示模式采用Dual Slit ADS設(shè)計時,像素的C_(st)可以下降30%~40%。實驗結(jié)果表明:采用Low Cst Pixel ADS設(shè)計時,VGH Margin可以增大2.5 V,但受到像素電極和公共電極的對位影響,透過率下降5%。
【作者單位】： 重慶京東方光電科技有限公司;
【分類號】：TN873

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本文編號：2550515