本文選題：開關(guān)電源(SMPS)集成電路　切入點：抗電磁干擾(EMI)　出處：《半導(dǎo)體技術(shù)》2017年08期

【摘要】：針對脈沖頻率調(diào)制(PFM)開關(guān)電源(SMPS)集成電路,提出了抗電磁干擾(EMI)設(shè)計的兩種方法。通過采用零電流檢測電路,控制開關(guān)電源集成電路中的開關(guān)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)在第一個谷底導(dǎo)通,從而降低導(dǎo)通電流的尖峰值。通過采用恒壓和恒流設(shè)計技術(shù),使開關(guān)電源集成電路中的電壓和電流得到限制,有助于降低電流紋波。采用CSMC 1μm 40 V高壓工藝設(shè)計了PFM開關(guān)電源集成電路SX1618,將以上兩種抗電磁干擾設(shè)計方法應(yīng)用在該電路的設(shè)計中,并設(shè)計了針對性的保護結(jié)構(gòu)。完成SX1618整體仿真和版圖設(shè)計后進行了流片和封裝,并將其應(yīng)用在實際的開關(guān)電源中,經(jīng)測試,開關(guān)電源的抗電磁干擾能力符合標(biāo)準(zhǔn)。
[Abstract]:For pulse frequency modulation (PFM) switching power supply (SMPS) integrated circuit, two methods of EMI design are presented. The switching metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) in the integrated circuit of switching power supply (SMPs) is controlled on at the bottom of the first valley, thus reducing the peak value of the conduction current. By using constant voltage and constant current design technology, Limiting the voltage and current in the switching power supply integrated circuit, It is helpful to reduce the current ripple. The PFM switching power supply IC SX1618 is designed by using CSMC 1 渭 m 40V high voltage process. The above two design methods of anti-electromagnetic interference are applied in the design of the circuit. After completing the overall simulation and layout design of SX1618, the chip and package are carried out, and applied in the actual switching power supply. The test results show that the switching power supply meets the standard of anti-electromagnetic interference ability.
【作者單位】： 江蘇信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院電子信息工程學(xué)院;
【基金】：江蘇省教育廳資助項目(PPZY2015B190) 江蘇省教育廳“青藍(lán)工程”科技創(chuàng)新團隊資助項目(蘇教師(2016)15號)
【分類號】：TN402;TN86

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