本文關鍵詞：2.4GHz射頻接收機中全集成抗阻塞射頻前端的設計

  更多相關文章： 全集成抗阻塞 射頻前端 二階高通阻抗合成器 前饋抵消結構 匹配 帶外抑制比

【摘要】：目前,無線終端急劇增多,大大增加了射頻接收機發(fā)生阻塞的幾率,提高全集成射頻接收機抗阻塞能力成為集成電路設計者們亟待解決的問題。作為射頻接收機第一級有源模塊,射頻接收前端具有抗阻塞能力是后級模塊電路能夠正常工作的前提。因此,設計一款全集成抗阻塞射頻接收前端具有重要的研究意義。論文設計了一款應用于2.4GHz ISM頻段射頻接收機中的全集成抗阻塞射頻接收前端。論文描述了射頻接收機的主要性能指標以及全集成抗阻塞射頻接收前端的六種主要結構,并通過對比各種結構的優(yōu)缺點,確定本文全集成抗阻塞射頻接收前端采用前饋抵消結構。整個全集成抗阻塞射頻接收前端由低噪聲放大器、前饋抵消結構抗阻塞射頻放大器和下混頻器組成。低噪聲放大器采用電容交叉耦合跨導增強技術,降低噪聲系數和提高增益�；跓o源混頻開關管阻抗頻移特性,設計射頻帶阻濾波器,構成本文前饋抵消結構射頻抗阻塞放大器前饋支路。為了實現主支路與前饋支路良好增益和相位匹配,提出以無源混頻開關管和共源放大器級聯結構電路取代電阻用作主支路負載。設計一種新型二階高通阻抗合成器,通過提高射頻帶阻濾波器的帶內抑制比,提升射頻抗阻塞放大器帶外抑制比。下混頻器采用無源混頻器結構,跨阻級采用有源負反饋技術提高輸入管跨導,實現低阻抗輸入。基于TSMC 0.13μm RFCMOS工藝設計了具體的電路與版圖,并進行了前后仿真驗證。后仿真結果表明,在1.2V的電源電壓下,功耗為17mW；工作在2.4GHz-2.48GHz頻段時,反射系數小于-26dB,噪聲系數小于5.3dB,帶內增益大于61.5dB,帶外抑制比大于42dB@20MHz,各項性能指標均達到了指標要求。
【關鍵詞】：全集成抗阻塞 射頻前端 二階高通阻抗合成器 前饋抵消結構 匹配 帶外抑制比
【學位授予單位】：東南大學
【學位級別】：碩士
【學位授予年份】：2016
【分類號】：TN850
【目錄】：

• 摘要5-6
• Abstract6-9
• 第一章 緒論9-13
• 1.1 論文背景9-10
• 1.2 國內外研究現狀10-11
• 1.3 論文主要工作11-12
• 1.4 論文內容概述12-13
• 第二章 全集成抗阻塞射頻前端概述13-27
• 2.1 射頻接收機的主要性能參數13-19
• 2.1.1 反射系數13-14
• 2.1.2 噪聲系數和靈敏度14-15
• 2.1.3 線性度與無雜散動態(tài)范圍15-19
• 2.2 全集成抗阻塞射頻前端經典結構19-25
• 2.2.1 阻塞信號抵消結構19-20
• 2.2.2 多路濾波結構20-23
• 2.2.3 無低噪聲放大器結構23-25
• 2.3 本章小結25-27
• 第三章 2.4GHz全集成抗阻塞射頻前端電路設計27-51
• 3.1 2.4GHz全集成抗阻塞射頻接收前端的整體結構設計27-28
• 3.1.1 全集成抗阻塞射頻接收前端的結構分析27-28
• 3.1.2 全集成抗阻塞射頻接收前端的結構方案28
• 3.2 低噪聲放大器的設計28-36
• 3.2.1 低噪聲放大器電路結構比較29-33
• 3.2.2 低噪聲放大器電路設計33-36
• 3.3 射頻抗阻塞放大器的設計36-41
• 3.3.1 射頻抗阻塞放大器設計36-38
• 3.3.2 射頻抗阻塞放大器優(yōu)化38-41
• 3.4 下混頻器的設計41-46
• 3.4.1 下混頻器結構的性能比較41-46
• 3.4.2 下混頻器電路設計46
• 3.5 2.4GHz全集成抗阻塞射頻接收前端的聯合前仿真46-49
• 3.6 本章小結49-51
• 第四章 版圖設計和后仿真驗證51-61
• 4.1 射頻接收前端的版圖設計51-54
• 4.1.1 射頻模擬版圖設計51-53
• 4.1.2 全集成抗阻塞射頻接收前端版圖53-54
• 4.2 全集成抗阻塞射頻接收前端后仿真驗證54-58
• 4.3 本章小結58-61
• 第五章 總結與展望61-63
• 5.1 總結61-62
• 5.2 展望62-63
• 致謝63-65
• 參考文獻65-69
• 作者簡介69

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本文編號：1117601