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二維磁通釘扎中心的構(gòu)筑及其提高M(jìn)gB 2 臨界電流密度機(jī)理的研究

發(fā)布時(shí)間:2024-05-28 20:15
  MgB2的超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度為39 K,可以擺脫昂貴的液氦制冷技術(shù)而使用,因此相比于傳統(tǒng)低溫超導(dǎo)體其應(yīng)用成本較低。但MgB2的本征磁通釘扎中心不足,使其臨界電流密度在磁場中迅速降低,限制了其推廣應(yīng)用。晶界為MgB2的本征釘扎中心,化學(xué)摻雜可在材料中誘導(dǎo)非本征釘扎中心的產(chǎn)生。MgB2釘扎中心的類型可分為點(diǎn)釘扎中心、面釘扎中心(二維釘扎中心)和體釘扎中心。釘扎中心的類型、尺寸、分布等影響樣品的磁通釘扎力、連接性以及磁場載流能力(Jc(H))。點(diǎn)釘扎中心釘扎作用小,且只能與單根磁通線相互作用;體釘扎中心較嚴(yán)重地破壞樣品的連接性,實(shí)用性差;二維釘扎中心釘扎作用強(qiáng),可同時(shí)與多根磁通線相互作用,且對樣品的連接性影響較小,故可高效地提高樣品的磁通釘扎能力。釘扎中心在樣品中的聚集也會破壞材料的連接性,不利于提高Jc(H)。為提高M(jìn)gB2的磁場載流能力,需要在材料中構(gòu)筑均勻分布的二維釘扎中心,提高樣品的磁通釘扎力,同時(shí)保持樣品較好的連接性。本研究分兩個部分,...

【文章頁數(shù)】:90 頁

【學(xué)位級別】:碩士

【文章目錄】:
摘要
ABSTRACT
第一章 緒論
    1.1 超導(dǎo)體的相關(guān)理論
        1.1.1 超導(dǎo)體的臨界參數(shù)及超導(dǎo)態(tài)的基本效應(yīng)
        1.1.2 BCS理論
        1.1.3 磁通釘扎及臨界態(tài)模型
        1.1.4 磁通釘扎的分類
    1.2 MgB2 超導(dǎo)電性的發(fā)現(xiàn)及其應(yīng)用前景
第二章 MgB2超導(dǎo)體的研究現(xiàn)狀
    2.1 MgB2 的基本結(jié)構(gòu)和性能
        2.1.1 MgB2 的結(jié)構(gòu)及其雙能隙
        2.1.2 MgB2 的各向異性
        2.1.3 MgB2 的磁場載流能力
    2.2 MgB2 超導(dǎo)體的制備
        2.2.1 MgB2的反應(yīng)機(jī)理
        2.2.2 MgB2 制備方法
        2.2.3 燒結(jié)條件對MgB2制備的影響
    2.3 化學(xué)摻雜提高M(jìn)gB2的磁場載流能力
        2.3.1 納米SiC摻雜
        2.3.2 有機(jī)物摻雜
        2.3.3 二維材料摻雜
    2.4 本文的研究內(nèi)容及意義
第三章 研究方案及表征
    3.1 研究方案
        3.1.1 實(shí)驗(yàn)原料及試劑
        3.1.2 樣品制備方法
    3.2 樣品的物相及微觀結(jié)構(gòu)表征
    3.3 MgB2 的電磁性能表征
第四章 碳包覆硼粉構(gòu)筑二維釘扎中心提高M(jìn)gB2的Jc(H)
    4.1 碳包覆硼粉的物相及結(jié)構(gòu)分析
    4.2 MgB2 的物相和微觀結(jié)構(gòu)分析
    4.3 MgB2 樣品的超導(dǎo)性能分析
        4.3.1 MgB2 樣品的超導(dǎo)轉(zhuǎn)變
        4.3.2 MgB2 樣品的臨界電流密度及釘扎力
    4.4 MgB2 樣品的磁通釘扎機(jī)制
    4.5 本章小結(jié)
第五章 不同二維材料包覆硼粉構(gòu)筑二維釘扎中心提高M(jìn)gB2Jc(H)的比較
    5.1 硼粉前驅(qū)體的物相及結(jié)構(gòu)
    5.2 MgB2 的物相及結(jié)構(gòu)
    5.3 MgB2 超導(dǎo)性能的比較分析
        5.3.1 超導(dǎo)轉(zhuǎn)變
        5.3.2 臨界電流密度
        5.3.3 磁通釘扎機(jī)制
    5.4 本章小結(jié)
第六章 結(jié)論和展望
    6.1 結(jié)論
    6.2 展望
參考文獻(xiàn)
作者在攻讀碩士學(xué)位期間公開發(fā)表的論文及申請的專利
作者在攻讀碩士學(xué)位期間所作的項(xiàng)目
致謝



本文編號:3983675

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