報(bào)道Ho:Sc₂SiO₅(Ho:SSO)晶體作為一種新型可飽和吸收體用于被動(dòng)Q開關(guān)Tm:YAlO₃(Tm:YAP)固體激光器.在793nm激光二極管端面泵浦下,Ho:SSO被動(dòng)Q開關(guān)Tm:YAP激光器產(chǎn)生穩(wěn)定的微秒脈沖輸出,發(fā)射激光波長(zhǎng)為1.88μm.實(shí)驗(yàn)獲得了130mW的最大平均功率和5.2μJ的單脈沖能量輸出,脈沖寬度為1.87μs,重復(fù)頻率為25kHz.通過引入聲光調(diào)制器,設(shè)計(jì)搭建了基于Ho:SSO晶體混合調(diào)Q的Tm:YAP激光器,有效壓縮了脈沖寬度至百納秒量級(jí).實(shí)驗(yàn)獲得了最小213ns的脈沖寬度,且在4kHz重復(fù)頻率下最大單脈沖能量達(dá)到34μJ,這項(xiàng)工作表明了新型Ho:SSO晶體作為1.9"m波段可飽和吸收體的實(shí)際應(yīng)用潛力.

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【文章目錄】：
0 Introduction
1 Experimental
2 Results and discussion
3 Conclusions



本文編號(hào)：3974867