發(fā)布時(shí)間：2024-05-11 23:45

　　本論文主要研究了以下三個(gè)方面:1)第一:發(fā)展了一種理解低溫下Na3Bi輸運(yùn)性質(zhì)的理論方法。計(jì)算了基于Na3Bi的三維狄拉克系統(tǒng)的電子能譜結(jié)構(gòu)、費(fèi)米能量、包含電子-電子交互作用的電子散射長(zhǎng)度、電子-雜質(zhì)散射和電子的傳輸與量子遷移率。研究發(fā)現(xiàn):簡(jiǎn)化的k ·p哈密頓量確實(shí)可以被用來(lái)作為研究Na3Bi的電子與輸運(yùn)性質(zhì)。從計(jì)算的電子能帶和費(fèi)米能量1來(lái)看,我們可以討論電子能譜中貝里曲率的存在引起的各向異性,以及這種各向異性能夠在高電子濃度與低電子濃度的樣品中的磁傳輸試驗(yàn)中被觀測(cè)到的原因�？紤]到低溫下電子雜質(zhì)相互作用引起的電子散射,我們計(jì)算了在不同雜質(zhì)濃度下的量子與傳輸遷移率關(guān)于電子濃度的函數(shù)關(guān)系。本章節(jié)中計(jì)算出的量子與傳輸遷移率與Xiong等人的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)定性與定量上都吻合比較好。電子遷移率沿著不同的晶格方向表現(xiàn)出巨大的各向異性。從本章中研究?jī)?nèi)容中我們得到最重要的結(jié)論是對(duì)于有著高電子濃度1019cm3量級(jí)的樣品,費(fèi)米能級(jí)離Dirac點(diǎn)和貝里曲率很近。因此高電子濃度的Na3 Bi樣品的電子傳輸仍然表現(xiàn)出三維Dirac系統(tǒng)的基本特性。我們希望本章節(jié)所呈現(xiàn)的研究結(jié)果可以加深對(duì)三維Dirac系統(tǒng)的基本電子性...

【文章頁(yè)數(shù)】：60 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖１．２?Ｎａ３Ｂｉ的輸運(yùn)數(shù)據(jù)（Ａ）?Ｎａ３Ｂｉ中狄拉克點(diǎn)簡(jiǎn)圖，（Ｂ）朗道能帶在狄拉克半金屬中，（Ｃ）??Ｎａ３Ｂｉ的霍爾電阻，（Ｄ）不同溫度下Ｎａ３Ｂｉ的磁阻磁場(chǎng)方向平行于電流

圖１．２?Ｎａ３Ｂｉ的輸運(yùn)數(shù)據(jù)（Ａ）?Ｎａ３Ｂｉ中狄拉克點(diǎn)簡(jiǎn)圖，（Ｂ）朗道能帶在狄拉克半金屬中，（Ｃ）??Ｎａ３Ｂｉ的霍爾電阻，（Ｄ）不同溫度下Ｎａ３Ｂｉ的磁阻磁場(chǎng)方向平行于電流。??經(jīng)在其他備選狄拉克、外爾半金屬或相關(guān)材料中報(bào)道了，ＺｒＴｅ５，低能電子態(tài)可??以被有小質(zhì)量的狄拉....

圖１．３手性異常示意圖

Ｔ（Ｋ）?Ｂ（Ｔ）??圖１．２?Ｎａ３Ｂｉ的輸運(yùn)數(shù)據(jù)（Ａ）?Ｎａ３Ｂｉ中狄拉克點(diǎn)簡(jiǎn)圖，（Ｂ）朗道能帶在狄拉克半金屬中，（Ｃ）??Ｎａ３Ｂｉ的霍爾電阻，（Ｄ）不同溫度下Ｎａ３Ｂｉ的磁阻磁場(chǎng)方向平行于電流。??經(jīng)在其他備選狄拉克、外爾半金屬或相關(guān)材料中報(bào)道了，ＺｒＴｅ５，低能電子態(tài)可....

圖１．４?Ｎａ３Ｂｉ晶體生長(zhǎng)和結(jié)構(gòu)分析

到７５０度。對(duì)于成核和生長(zhǎng)的全過(guò)程中，溫度以每小時(shí)１．５度的速率緩慢下降到??３２５度。然后對(duì)瓶子離心分離，這樣就得到了?Ｎａ３Ｂｉ（２）。兩種方法生長(zhǎng)的樣品圖??如圖１．４所示，（ａ）化學(xué)氣相沉積冷卻得到Ｎａ３Ｂｉ（ｌ）晶體有劈開(kāi)光亮的表面；（ｂ）??以主要的占比為百分之九十Ｎ....

圖１．５?Ｎａ３Ｂｉ的空間結(jié)構(gòu)和布里淵區(qū)圖，晶體具有Ｐ６３／ｍｍｃ的對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)

?＋?．?（ｂ）??Ｓ”??？－－１—￣￣?１…４?ＩＩ；??？？＿？＿ｒｘ??圖１．５?Ｎａ３Ｂｉ的空間結(jié)構(gòu)和布里淵區(qū)圖，晶體具有Ｐ６３／ｍｍｃ的對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)。??Ｎａ３Ｂｉ的電子結(jié)構(gòu)圖通過(guò)第一性原理計(jì)算如圖１．６所示。（ａ）總共和部分的態(tài)??密度。（ｂ）和（ｃ）分別是沒(méi)有考慮自旋....

本文編號(hào)：3970545