本論文主要研究了以下三個方面:1)第一:發(fā)展了一種理解低溫下Na3Bi輸運性質的理論方法。計算了基于Na3Bi的三維狄拉克系統(tǒng)的電子能譜結構、費米能量、包含電子-電子交互作用的電子散射長度、電子-雜質散射和電子的傳輸與量子遷移率。研究發(fā)現:簡化的k ·p哈密頓量確實可以被用來作為研究Na3Bi的電子與輸運性質。從計算的電子能帶和費米能量1來看,我們可以討論電子能譜中貝里曲率的存在引起的各向異性,以及這種各向異性能夠在高電子濃度與低電子濃度的樣品中的磁傳輸試驗中被觀測到的原因�？紤]到低溫下電子雜質相互作用引起的電子散射,我們計算了在不同雜質濃度下的量子與傳輸遷移率關于電子濃度的函數關系。本章節(jié)中計算出的量子與傳輸遷移率與Xiong等人的實驗數據定性與定量上都吻合比較好。電子遷移率沿著不同的晶格方向表現出巨大的各向異性。從本章中研究內容中我們得到最重要的結論是對于有著高電子濃度1019cm3量級的樣品,費米能級離Dirac點和貝里曲率很近。因此高電子濃度的Na3 Bi樣品的電子傳輸仍然表現出三維Dirac系統(tǒng)的基本特性。我們希望本章節(jié)所呈現的研究結果可以加深對三維Dirac系統(tǒng)的基本電子性...

【文章頁數】：60 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖１．２?Ｎａ３Ｂｉ的輸運數據（Ａ）?Ｎａ３Ｂｉ中狄拉克點簡圖，（Ｂ）朗道能帶在狄拉克半金屬中，（Ｃ）??Ｎａ３Ｂｉ的霍爾電阻，（Ｄ）不同溫度下Ｎａ３Ｂｉ的磁阻磁場方向平行于電流

圖１．２?Ｎａ３Ｂｉ的輸運數據（Ａ）?Ｎａ３Ｂｉ中狄拉克點簡圖，（Ｂ）朗道能帶在狄拉克半金屬中，（Ｃ）??Ｎａ３Ｂｉ的霍爾電阻，（Ｄ）不同溫度下Ｎａ３Ｂｉ的磁阻磁場方向平行于電流。??經在其他備選狄拉克、外爾半金屬或相關材料中報道了，ＺｒＴｅ５，低能電子態(tài)可??以被有小質量的狄拉....

圖１．３手性異常示意圖

Ｔ（Ｋ）?Ｂ（Ｔ）??圖１．２?Ｎａ３Ｂｉ的輸運數據（Ａ）?Ｎａ３Ｂｉ中狄拉克點簡圖，（Ｂ）朗道能帶在狄拉克半金屬中，（Ｃ）??Ｎａ３Ｂｉ的霍爾電阻，（Ｄ）不同溫度下Ｎａ３Ｂｉ的磁阻磁場方向平行于電流。??經在其他備選狄拉克、外爾半金屬或相關材料中報道了，ＺｒＴｅ５，低能電子態(tài)可....

圖１．４?Ｎａ３Ｂｉ晶體生長和結構分析

到７５０度。對于成核和生長的全過程中，溫度以每小時１．５度的速率緩慢下降到??３２５度。然后對瓶子離心分離，這樣就得到了?Ｎａ３Ｂｉ（２）。兩種方法生長的樣品圖??如圖１．４所示，（ａ）化學氣相沉積冷卻得到Ｎａ３Ｂｉ（ｌ）晶體有劈開光亮的表面；（ｂ）??以主要的占比為百分之九十Ｎ....

圖１．５?Ｎａ３Ｂｉ的空間結構和布里淵區(qū)圖，晶體具有Ｐ６３／ｍｍｃ的對稱結構

?＋?．?（ｂ）??Ｓ”??？－－１—￣￣?１…４?ＩＩ；??？？＿？＿ｒｘ??圖１．５?Ｎａ３Ｂｉ的空間結構和布里淵區(qū)圖，晶體具有Ｐ６３／ｍｍｃ的對稱結構。??Ｎａ３Ｂｉ的電子結構圖通過第一性原理計算如圖１．６所示。（ａ）總共和部分的態(tài)??密度。（ｂ）和（ｃ）分別是沒有考慮自旋....

本文編號：3970545