本文首先使用有效質(zhì)量近似的方法研究了在斜磁場(chǎng)作用下各向異性拋物量子點(diǎn)系統(tǒng),并求得了系統(tǒng)的能級(jí)與波函數(shù)。然后運(yùn)用密度矩陣與迭代的方法得到系統(tǒng)的線性、非線性以及總的折射率改變的表達(dá)式,使用典型的GaAs材料來(lái)進(jìn)行數(shù)值計(jì)算。計(jì)算結(jié)果表明,磁場(chǎng)的傾斜角度以及系統(tǒng)參數(shù)對(duì)于總的折射率系數(shù)的改變有較大的影響,隨著磁場(chǎng)傾斜角度的增加,總的光折射率系數(shù)改變的峰值卻在減少,并且向著高能量方向移動(dòng);然而隨著系統(tǒng)結(jié)構(gòu)參數(shù)的增加,總的光折射率系數(shù)改變卻在不斷的增加。

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【部分圖文】：

圖1不同傾斜角度的條件下總的折射率系數(shù)變化與入射光能量之間的關(guān)系

在圖2中給出了隨著變化，總的折射率變化與入射光場(chǎng)之間的關(guān)系。從圖中可以看出，當(dāng)入射光的能量取到28.6meV時(shí)，η分別取0.3,0.5,0.7，總的折射率系數(shù)改變分別取到峰值0.039,0.099,0.179。隨著η的增加，其相應(yīng)的偶極矩陣元Mij的大小逐漸增大，使得總的折射率....

圖2在不同的條件下總的折射率系數(shù)變化與入射光能量之間的關(guān)系

圖1不同傾斜角度的條件下總的折射率系數(shù)變化與入射光能量之間的關(guān)系圖3給出了隨著ωy變化，總的折射率改變與入射光場(chǎng)之間的關(guān)系。從圖中可以看出，當(dāng)入射光的能量為28.6meV，ωy分別取：60.72ps-1,63.22ps-1,65.72ps-1時(shí)，取得相應(yīng)的峰值分別是0.....

圖3在不同ωy的條件下總的折射率系數(shù)變化與入射光能量之間的關(guān)系

得到更高的光折射率系數(shù)改變的峰值。3小結(jié)

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