隨著科技的發(fā)展,人們把目標(biāo)從只注重于電子的電荷屬性上遷移到自旋屬性上,這帶來了全新的學(xué)科——自旋電子學(xué)。自旋電子學(xué)同時考慮了電子的自旋和電荷屬性,在傳統(tǒng)的工藝上進(jìn)行創(chuàng)新,利用自旋屬性輔助或者替代原有的電學(xué)器件,如自旋微波振蕩器、磁存儲器等。1988年,GMR效應(yīng)的發(fā)現(xiàn)極大地促進(jìn)了自旋電子學(xué)的發(fā)展,其商業(yè)化進(jìn)程非常迅速,過去的幾十年里,磁盤的存儲空間一再擴(kuò)大,讀寫速度也不斷提升,而GMR效應(yīng)也被應(yīng)用于多個領(lǐng)域,取得了巨大的成功。在后續(xù)的研究中,自旋電子學(xué)也繼續(xù)取得突破,包括隧穿磁電阻、自旋轉(zhuǎn)移矩效應(yīng)、自旋軌道矩、二維電子材料和拓?fù)浣^緣體等方向的重要突破。商業(yè)轉(zhuǎn)化也在同步進(jìn)行,目前STT-MRAM的生產(chǎn)、自旋電子學(xué)在半導(dǎo)體器件中的應(yīng)用于技術(shù)的更新都是成功的商業(yè)應(yīng)用。本文的研究內(nèi)容主要聚焦在自旋微波振蕩器。首先,我們從現(xiàn)有的自旋動力學(xué)模型(LLG方程)進(jìn)行出發(fā),引入自旋轉(zhuǎn)移矩進(jìn)行分析和計算,同時考慮短波長磁振子激發(fā)的影響,引入BBS模型計算在FM/NM/FM結(jié)構(gòu)中設(shè)計自旋微波振蕩器的可行性,并計算其性能。同時我們對LLGS方程與BBS方程的運(yùn)算結(jié)構(gòu)進(jìn)行對比分析,二者都獲得了穩(wěn)定的進(jìn)動,可以實(shí)...

【文章頁數(shù)】：58 頁

【學(xué)位級別】：碩士

圖１．２．１二流體＿吳型ＧＭＲ不意圖??

圖１．２．２（ａ）（ｂ）分別為磁性隧道結(jié)中兩層鐵磁層磁化??方向平行與反平行狀態(tài)下的隧穿磁電阻示意圖??

圖１．２．３（ａ）自旋極化電流在磁性異質(zhì)結(jié)中的輸運(yùn)（ｂ）自旋轉(zhuǎn)移矩效應(yīng)圖示??

圖１．３．１自旋霍爾效應(yīng)產(chǎn)生自旋流??

本文編號：3888312