發(fā)布時(shí)間：2023-12-24 19:00

　　開(kāi)關(guān)電源(SMPS)在工作時(shí),其快速的開(kāi)通或關(guān)斷過(guò)程會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)生高頻電流和電壓,從而激發(fā)了電磁干擾(EMI)噪聲,這種噪聲電流會(huì)在傳輸線上傳遞,即傳導(dǎo)的電磁干擾噪聲。這種噪聲容易沿導(dǎo)線傳播并干擾其他用電設(shè)備。因此,使用開(kāi)關(guān)電源供電的各種電子設(shè)備都必須滿足相應(yīng)的電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)。本論文以AC/DC開(kāi)關(guān)變換器為研究主體,對(duì)反激式變換器傳導(dǎo)EMI的建模、仿真和預(yù)測(cè)的問(wèn)題展開(kāi)深入研究,并且研制出第一款具有混沌擴(kuò)頻功能的電源管理芯片。首先,根據(jù)AC/DC開(kāi)關(guān)變換器的電路拓?fù)涮攸c(diǎn)和傳導(dǎo)EMI的測(cè)試原理,在Saber仿真軟件中建立完整的傳導(dǎo)EMI仿真模型。結(jié)合理論計(jì)算和實(shí)驗(yàn)實(shí)測(cè)得到高頻變壓器的高頻等效模型;Saber內(nèi)的建模工具得到MOS管和二極管的高頻等效模型;阻抗分析儀測(cè)試電路中的電容和電感,得出元器件的高頻特性曲線;深入分析電磁干擾噪聲在反激式變換器和LISN(線路阻抗穩(wěn)定網(wǎng)絡(luò))之間的傳播路徑,從中得出傳導(dǎo)電磁干擾的差模傳播路徑和共模傳播路徑,進(jìn)而得到差模傳遞函數(shù)和共模傳遞函數(shù)。其次,從Saber仿真模型中提取MOS管漏極和源極之間的電壓和副邊整流二極管的電壓為干擾源,在Matlab中建立傳導(dǎo)EMI...

【文章頁(yè)數(shù)】：64 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
ABSTRACT
第一章 緒論
    1.1 課題的研究背景和意義
    1.2 開(kāi)關(guān)電源抑制傳導(dǎo)EMI的國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀
    1.3 混沌抑制EMI技術(shù)
    1.4 本論文研究的創(chuàng)新之處
第二章 反激式變換器傳導(dǎo)干擾建模與仿真
    2.1 高頻變壓器的等效模型
    2.2 二極管與MOS管建模
        2.2.1 二極管模型
        2.2.2 MOS管建模
    2.3 電容高頻等效模型
    2.4 電感高頻等效模型
    2.5 傳導(dǎo)電磁干擾的建模與仿真
        2.5.1 反激式變換器傳導(dǎo)干擾傳播路徑建模
        2.5.2 傳導(dǎo)EMI的仿真
    2.6 本章小結(jié)
第三章 混沌信號(hào)的選擇與優(yōu)化
    3.1 最優(yōu)混沌系統(tǒng)的選擇
        3.1.1 李雅普諾夫指數(shù)與傳導(dǎo)EMI的關(guān)系
        3.1.2 混沌信號(hào)頻譜特征與傳導(dǎo)EMI的關(guān)系
    3.2 劉氏混沌系統(tǒng)的實(shí)現(xiàn)與優(yōu)化
        3.2.1 劉氏混沌系統(tǒng)的數(shù)值仿真
        3.2.2 劉氏混沌系統(tǒng)優(yōu)化電路設(shè)計(jì)
        3.2.3 劉氏混沌系統(tǒng)的電路實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證
    3.3 本章小結(jié)
第四章 AC/DC開(kāi)關(guān)變換器傳導(dǎo)電磁干擾的實(shí)驗(yàn)
    4.1 混沌電源管理芯片
    4.2 樣機(jī)工作狀態(tài)測(cè)試
    4.3 傳導(dǎo)EMI的測(cè)試
    4.4 本章小結(jié)
第五章 結(jié)論
    5.1 論文所完成工作
    5.2 研究展望
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士期間的研究成果
致謝



本文編號(hào)：3875118