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InP/InGaAsP多量子阱自發(fā)輻射譜的解析函數(shù)

發(fā)布時(shí)間:2023-02-23 17:16
  利用洛倫茲線型函數(shù)、高斯線型函數(shù)和Sech線型函數(shù)對(duì)InP/InGaAsP多量子阱自發(fā)輻射譜進(jìn)行擬合,采用萊文貝格-馬夸特算法,得到上述三種函數(shù)的解析表達(dá)式.研究結(jié)果表明:高斯線型光譜擬合函數(shù)的中心波長(zhǎng)為1548.651nm,譜線半極大全寬度為61.42 nm,功率補(bǔ)償為0.00212 mW,擬合優(yōu)度為0.99191,殘差平方和為2.26505×10-6.高斯線型擬合的擬合優(yōu)度最大,殘差平方和最小,且各數(shù)據(jù)點(diǎn)的殘差值分布在±0.0001之間,分布比較均勻.高斯線型函數(shù)具有較高擬合度.

【文章頁(yè)數(shù)】:5 頁(yè)

【文章目錄】:
1 引言
2 實(shí)驗(yàn)
3 算法描述
4 結(jié)果與討論
5 結(jié)論



本文編號(hào):3748413

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