研究了基于Ni電極和原子層淀積的ZrO₂/SiO₂/ZrO₂對(duì)稱疊層介質(zhì)金屬-絕緣體-金屬(MIM)電容的電學(xué)性能.當(dāng)疊層介質(zhì)的厚度固定在14nm時(shí),隨著SiO₂層厚度從0增加到2nm,所得電容密度從13.1 fF/μm²逐漸減小到9.3fF/μm²,耗散因子從0.025逐漸減小到0.02.比較MIM電容的電流-電壓(I-V)曲線,發(fā)現(xiàn)在高壓下電流密度隨著SiO₂厚度的增加而減小,在低壓下電流密度的變化不明顯,還觀察到電容在正、負(fù)偏壓下表現(xiàn)出完全不同的導(dǎo)電特性,在正偏壓下表現(xiàn)出不同的高、低場(chǎng)I-V特性,而在負(fù)偏壓下則以單一的I-V特性為主導(dǎo).進(jìn)一步對(duì)該電容在高、低場(chǎng)下以及電子頂部和底部注入時(shí)的導(dǎo)電機(jī)理進(jìn)行了研究.結(jié)果表明,當(dāng)電子從底部注入時(shí),在高場(chǎng)和低場(chǎng)下分別表現(xiàn)出普爾-法蘭克(PF)發(fā)射和陷阱輔助隧穿(TAT)的導(dǎo)電機(jī)理;當(dāng)電子從頂部注入時(shí),在高、低場(chǎng)下均表現(xiàn)出TAT導(dǎo)電機(jī)理.主要原因在于底電極Ni與ZrO₂之...

【文章頁(yè)數(shù)】：8 頁(yè)

【文章目錄】：
1 引言
2 實(shí)驗(yàn)
3 結(jié)果與討論
4 結(jié)論



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