在沒有外加磁場的作用下就能表現(xiàn)出量子化霍爾電導的量子反�；魻栃呀洺蔀榛魻柤易逯械闹匾粏T,其物理起源是體能帶反轉結構和鐵磁性相互作用.量子反�；魻栃钪匾谋憩F(xiàn)是在邊緣態(tài)處具有無耗散運動的手性電流,這種性質擁有可以改變未來量子電子學的潛力,極大推動器件小型化、低損耗、高速率發(fā)展.近年來,基于理論指導,人們在實驗上已多次觀察到量子反�；魻栃�.在本文中,從實驗層面上重點回顧了量子反�；魻栃阢t（Cr）、釩（V）摻雜的（Bi, Sb）₂Te₃體系的研究進展,以及目前量子反�；魻栃谄渌w系中的研究現(xiàn)狀,深入理解量子反常霍爾效應的起源和機理,最后對量子反�；魻栃M行總結和展望. 

【文章頁數(shù)】：20 頁

【文章目錄】：
1 引 言
2 磁原子摻雜拓撲絕緣體材料中實現(xiàn)量子反常霍爾效應
    2.1 Cr摻雜
        2.1.1 實驗上首次觀察到量子反�；魻栃�
        2.1.2 實驗論證量子反常霍爾效應和量子霍爾效應的區(qū)別
        2.1.3 電流對量子反�；魻栃挠绊�
        2.1.4 克服2D極限在Cr摻雜的(Bi, Sb)2Te3中實現(xiàn)量子反�；魻栃�
        2.1.5 提高Cr摻雜的(Bi, Sb)2Te3的量子反�；魻栃孔踊瘻囟�
        2.1.6 調控Cr摻雜的(Bi, Sb)2Te3的陳數(shù)
    2.2 V摻雜
        2.2.1 V摻雜的拓撲絕緣體相比于Cr摻雜的優(yōu)異性
        2.2.2 首次在V摻雜的(Bi, Sb)2Te3中觀察到量子反常霍爾效應
        2.2.3 V摻雜的(Bi, Sb)2Te3中的無耗散邊緣態(tài)和耗散性質
        2.2.4 在V摻雜的(Bi, Sb)2Te3的量子反�；魻栃械某叽缧袨�
        2.2.5 提高V摻雜的(Bi, Sb)2Te3薄膜的量子反�；魻栃獪囟�
3 本征磁性拓撲絕緣體MnBi2Te4中的量子反�；魻栃�
    3.1 在MnBi2Te4中實現(xiàn)量子反�；魻栃�
    3.2 MnBi2Te4中高陳數(shù)的實現(xiàn)
    3.3 在MnBi2Te4/Bi2Te3超晶格中實現(xiàn)量子反�；魻栃�
4 在石墨烯中實現(xiàn)量子反常霍爾效應
5 其他體系中的量子反�；魻栃�
6 總結和展望



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