太赫茲技術(shù)自二十世紀(jì)出現(xiàn)之后,吸引了科研人員極大的興趣,特別是進(jìn)入二十一世紀(jì)后,太赫茲相關(guān)的科學(xué)研究與技術(shù)應(yīng)用都進(jìn)入了日新月異的蓬勃發(fā)展?fàn)顟B(tài)。在基礎(chǔ)研究領(lǐng)域,各種高效、簡便、實用的太赫茲輻射源和探測器層出不窮,太赫茲波與不同物質(zhì)的相互作用不斷被揭示,太赫茲波的各類調(diào)控器件如雨后春筍,此外,太赫茲技術(shù)與其他技術(shù)相結(jié)合的跨學(xué)科研究也在不斷深入進(jìn)行當(dāng)中。在技術(shù)應(yīng)用領(lǐng)域,太赫茲開始嘗試應(yīng)用于生物醫(yī)學(xué),太赫茲安檢儀也已經(jīng)投入實用當(dāng)中,特別是利用太赫茲波進(jìn)行無線通訊,更是引人注目。太赫茲技術(shù)具有巨大的應(yīng)用價值,但是仍有許多需要深入研究和改進(jìn)的地方。其中主要有以下兩點:一、很多材料在太赫茲波段的響應(yīng)仍是未知的,而只有探測清楚了各類材料與太赫茲波相互作用的特性,設(shè)計太赫茲器件才能有跡可循。二、太赫茲技術(shù)的實際應(yīng)用離不開各類高效的調(diào)控器件,但是目前太赫茲功能器件仍然比較匱乏。因此,本文主要圍繞太赫茲波段的物質(zhì)響應(yīng)與太赫茲波主動調(diào)控器件開展了如下的工作,具體的內(nèi)容包括:1.完成太赫茲系統(tǒng)相關(guān)的實驗搭建工作。分別基于光電導(dǎo)天線和非線性晶體光整流效應(yīng),搭建了兩套高信噪比、高穩(wěn)定性的透射式太赫茲時域光譜系統(tǒng)。同... 

【文章來源】：中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)安徽省211工程院校985工程院校

【文章頁數(shù)】：137 頁

【學(xué)位級別】：博士

【文章目錄】：
摘要
ABSTRACT
第1章 緒論
    1.1 太赫茲技術(shù)概述
        1.1.1 太赫茲波的基本特性
        1.1.2 太赫茲波的產(chǎn)生和探測
        1.1.3 太赫茲技術(shù)的應(yīng)用與發(fā)展現(xiàn)狀
    1.2 太赫茲波段量子功能材料的響應(yīng)特性
        1.2.1 磁有序材料
        1.2.2 超導(dǎo)材料
        1.2.3 拓?fù)浣^緣體
    1.3 太赫茲調(diào)控器件
        1.3.1 超材料簡介
        1.3.2 被動調(diào)控器件
        1.3.3 主動調(diào)控器件
    1.4 本論文的主要工作
        1.4.1 選題依據(jù)
        1.4.2 內(nèi)容安排
    參考文獻(xiàn)
第2章 太赫茲系統(tǒng)搭建與拓展
    2.1 引言
    2.2 基于光電導(dǎo)天線的太赫茲系統(tǒng)
        2.2.1 基本原理
        2.2.2 光路的設(shè)計與搭建
        2.2.3 光路的拓展
    2.3 基于光整流的太赫茲系統(tǒng)
        2.3.1 基本原理
        2.3.2 光路的設(shè)計與搭建
        2.3.3 光路的拓展
    2.4 本章小結(jié)
    參考文獻(xiàn)
第3章 基于太赫茲時域光譜的材料測量與分析
    3.1 太赫茲測量方法
        3.1.1 太赫茲時域光譜數(shù)據(jù)處理
        3.1.2 光泵浦-太赫茲探測原理
    3.2 La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3/SrTiO_3超晶格的太赫茲響應(yīng)
        3.2.1 前言
        3.2.2 La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3/SrTiO_3超晶格的物性測量
        3.2.3 La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3/SrTiO_3超晶格太赫茲波段光響應(yīng)
        3.2.4 La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3/SrTiO_3超晶格載流子特性
        3.2.5 小結(jié)
    3.3 一些典型半導(dǎo)體的載流子特性研究
        3.3.1 半絕緣GaAs單晶
        3.3.2 石墨烯
        3.3.3 InSb納米線
    3.4 本章小結(jié)
    參考文獻(xiàn)
第4章 基于硅介質(zhì)超表面的太赫茲波超快調(diào)控
    4.1 硅介質(zhì)超表面結(jié)構(gòu)設(shè)計
        4.1.1 前言
        4.1.2 材料的選擇與處理
        4.1.3 結(jié)構(gòu)仿真
        4.1.4 小結(jié)
    4.2 硅介質(zhì)超表面太赫茲波超快調(diào)控的實驗測試
        4.2.1 超表面的微納加工
        4.2.2 太赫茲測試實驗
        4.2.3 小結(jié)
    4.3 硅介質(zhì)超表面太赫茲波超快調(diào)控的理論分析
        4.3.1 硅中光生載流子的復(fù)合過程
        4.3.2 理論模型分析與驗證
        4.3.3 小結(jié)
    4.4 本章小結(jié)
    參考文獻(xiàn)
第5章 基于VO_2-金屬復(fù)合超表面的太赫茲波調(diào)控
    5.1 引言
    5.2 VO_2薄膜的基本性質(zhì)測量
        5.2.1 VO_2薄膜結(jié)構(gòu)表征
        5.2.2 VO_2薄膜的太赫茲溫致相變特性
        5.2.3 小結(jié)
    5.3 VO_2-金屬復(fù)合超表面結(jié)構(gòu)設(shè)計
        5.3.1 VO_2-金屬復(fù)合超表面結(jié)構(gòu)選擇
        5.3.2 VO_2-金屬復(fù)合超表面參數(shù)選擇
    5.4 VO_2-金屬復(fù)合超表面太赫茲波調(diào)控的實驗測試
        5.4.1 復(fù)合超表面的微納加工
        5.4.2 復(fù)合超表面太赫茲波段的溫度響應(yīng)
        5.4.3 復(fù)合超表面太赫茲波段的電流響應(yīng)
        5.4.4 復(fù)合超表面太赫茲波段的光響應(yīng)
        5.4.5 復(fù)合超表面其他結(jié)構(gòu)的實驗測試
    5.5 本章小結(jié)
    參考文獻(xiàn)
第6章 總結(jié)和展望
    6.1 全文總結(jié)
    6.2 后續(xù)工作展望
在讀期間發(fā)表的學(xué)術(shù)論文與取得的其他研究成果
致謝


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]Carrier dynamics and terahertz photoconductivity of doped silicon measured by femtosecond pump-terahertz probe spectroscopy[J]. ZHOU QingLi1,SHI YuLei1,LI Tong2,JIN Bin1,ZHAO DongMei1 & ZHANG CunLin1 1 Beijing Key Laboratory for Terahertz Spectroscopy and Imaging,Key Laboratory of Terahertz Optoelectronics,Ministry of Education,Department of Physics,Capital Normal University,Beijing 100048,China; 2 Department of Electronics Engineering,Tianjin University of Technology and Education,Tianjin 300222,China.  Science in China（Series G:Physics,Mechanics & Astronomy）. 2009(12)



本文編號：3634192