白光LED具有高光效,長壽命,低能耗和環(huán)境友好等優(yōu)點,被喻為繼白熾燈,熒光燈,高強度氣體放電燈之后的第四代照明光源。目前市場中廣泛使用的白光LED是以藍光InGaN芯片激發(fā)YAG:Ce³⁺黃色熒光粉,黃光和藍光混合得到白光。由于其中缺少紅光成分,發(fā)射的白光色溫高,顯色性差。另一種獲得白光LED的方法是采用近紫外LED芯片激發(fā)紅、藍、綠三色熒光粉。目前藍光、綠光熒光粉技術(shù)相對成熟,而尋求一種低成本、高亮度、性能穩(wěn)定、顯色性好的紅色熒光粉成為研究重點。鉬酸鹽具有良好的化學穩(wěn)定性,其中含有的（MoO₄）^2-離子能有效的傳遞能量。因此,本文以La₂Mo₃O₁₂為基質(zhì),Eu³⁺為激活中心,制備La₂MO₃O₁₂:Eu³⁺紅色熒光粉,并分別采用Li⁺離子和Ba²⁺離子敏化,對其發(fā)光性能進行了系統(tǒng)的研究,主要內(nèi)容如下:... 

【文章來源】：南京信息工程大學江蘇省

【文章頁數(shù)】：68 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖I-2直插式LED結(jié)構(gòu)示意圖f}l

１■Ｂ?＋??瞧霄｜??圖１－２直插式ＬＥＤ結(jié)構(gòu)示意圖Ｍｌ??在熱平衡下，ｐ型半導體和ｎ型半導體擁有相同的費米能級＆。由于濃度梯度，ｐ??區(qū)一側(cè)空穴流向ｎ區(qū)，ｎ區(qū)電子流向ｐ區(qū)，使得ｐ區(qū)一側(cè)留下電離受主帶負電，ｎ區(qū)一??側(cè)帶正電，形成由ｎ指向ｐ的內(nèi)建勢場；在內(nèi)建電場作用下載流子開始漂移，阻礙其進??—步擴散；施加正向電壓（Ｐ正極，ｎ負極）后，在外加電勢作用下，ｐ區(qū)施主和ｎ區(qū)受??主電離，向?qū)Ш蛢r帶提供電子和空穴。載流子濃差產(chǎn)生的內(nèi)建電場被削弱，勢壘降低，??形成準費米能級，電子向ｐ區(qū)擴散，空穴向ｎ區(qū)擴散，電子和空穴復合并發(fā)出光輻射，??如圖卜３＾。在半導體中，電子和空穴可以處在不同的能級，不同的半導體材料或半導體??不同狀態(tài)下的電子空穴復合就可以產(chǎn)生不同能量，不同波長的光輻射。??￣￣??

個藍色ＬＥＤ［１６】。早期的藍光ＬＥＤ效率偏低，很長時間內(nèi)限制了白光ＬＥＤ的發(fā)展。直到??１９９４年，赤崎勇，天野浩和中村修二成功制備出ＩｎＧａＮ／ＡｌＧａＮ雙異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)的高亮度??藍光ＬＥＤ，如圖１－４所示，并以此獲得２０１４年的諾貝爾物理學獎，直到現(xiàn)在，ＩｎＧａＮ芯??片ＬＥＤ也是主要的商業(yè)化藍光ＬＥＤ［１７１。??ｌｅｄ｜￣￣—．．．．．．．．－—ｊ．．．．－??高壓鈉燈?ＷＫｔｔＫｔＭ??金鹵燈??熒光燈??ｆ原ｆＬ?＾５?Ｔｈｅｏｒｅｔｉｃａｌ；??局壓水燈?Ｉ?ｉ?ｈ?ｂｏｒｄｅｒ?ｉ??鹵素燈■??白熾燈畫??０?２０?４０?６０?８０?１００１２０１４０１６０１８０?２００??光效（Ｉｍ．Ｗ１）??圖１－５常見光源光效比較Ｍｌ??隨著精密制造等技術(shù)的進步，各種型號的ＬＥＤ器件飛速發(fā)展，在照明，顯示等領(lǐng)??域迅速發(fā)展。白光ＬＥＤ的發(fā)展規(guī)律可以用Ｈａｔｅ定律描述，元件光強按每１０年２０倍的??速度培長［１９１。如圖１－５，ＬＥＤ產(chǎn)品光效己經(jīng)達到了?１００１ｍ．Ｗ－１以上，實驗室中則己經(jīng)可??以突破ＳＯＯｌｍ?Ｗ１，接近理論值??１．２．３?白光ＬＥＤ實現(xiàn)方式??白光ＬＥＤ憑借多項優(yōu)點已在照明行業(yè)獲得廣泛應用，但單一的熒光粉難以實現(xiàn)白??光輸出，一般需要多種熒光粉與ＬＥＤ芯片配合，其實現(xiàn)方案主要有三種：??１．藍光ＬＥＤ激發(fā)黃色ＹＡＧ熒光粉??在丨ｎＧａＮ藍光ＬＥＤ上涂覆黃色ＹＡＧ：?Ｃｅ３＋熒光粉，將被藍光激發(fā)的黃光和未被黃??色熒光粉吸收的剩余藍光混合

【參考文獻】：
期刊論文
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碩士論文
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本文編號：3547512