鈮酸鋰晶體因其精良的光、電性質(zhì),被廣泛應(yīng)用于集成光學(xué)、光通訊等眾多領(lǐng)域,是制造微波技術(shù)、全息記錄介質(zhì)、相位調(diào)解器和紅外探測器等器件的重要材料。隨著信息時(shí)代的發(fā)展以及通訊技術(shù)的革新,相關(guān)行業(yè)對信息材料有更高的需求,純鈮酸鋰晶體及其摻雜鈮酸鋰晶體的性能研究,成為全息存儲(chǔ)材料領(lǐng)域的熱點(diǎn)。對比純鈮酸鋰晶體,某些摻雜改善了鈮酸鋰晶體的光折變和抗光損傷性能,并在摻雜晶體中實(shí)現(xiàn)了非揮發(fā)性存儲(chǔ),使得存儲(chǔ)的信息非易失、存儲(chǔ)質(zhì)量更為理想。目前發(fā)現(xiàn),將鈮酸鋰晶體用作存儲(chǔ)介質(zhì)研究大都是實(shí)驗(yàn)研究,以電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)理論計(jì)算為基礎(chǔ)的機(jī)理研究還較為欠缺,特別是雙摻或三摻鈮酸鋰晶體的非揮發(fā)性存儲(chǔ)仿真研究。本文利用基于密度泛函的第一性原理的計(jì)算方法,研究了純鈮酸鋰單晶體和多組摻雜鈮酸鋰晶體的電子結(jié)構(gòu)和吸收光譜,結(jié)果表明,選擇適當(dāng)?shù)墓庹圩冸x子單摻或共摻可實(shí)現(xiàn)鈮酸鋰晶體非揮發(fā)性全息存儲(chǔ):光折變離子Co²⁺摻雜鈮酸鋰體系的帶隙較純鈮酸鋰晶體變窄,禁帶寬度為3.32eV,帶隙中出現(xiàn)兩個(gè)雜質(zhì)能級,雜質(zhì)能級來源于Co的3d軌道自旋分裂的e_g、t_2g軌道;Co

【文章來源】：西南大學(xué)重慶市 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：51 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

帶輸運(yùn)模型

論文 體的優(yōu)勢讓鈮酸鋰晶體在體全息存儲(chǔ)、光放大等領(lǐng)域應(yīng)用有著于鈮酸鋰晶體為光折變效應(yīng)研究提供了很好的平臺(tái)，而與眾晶體自身光折變效應(yīng)又增添了鈮酸鋰晶體豐富多姿的性質(zhì)，摻雜鈮酸鋰晶體已被應(yīng)用于更多領(lǐng)域，如光計(jì)算和位相共軛體全息存儲(chǔ)、相關(guān)識別、光互聯(lián)、窄帶濾波器和缺陷檢測等體的基本結(jié)構(gòu)外在表現(xiàn)為無色或略帶黃綠色的透明晶體，內(nèi)部結(jié)構(gòu)是類似它是當(dāng)今已知居里點(diǎn)最高(1210 C)、自發(fā)極化(0.70 C/m2)趨晶體的熔點(diǎn)為 1240±5 C，密度為 4.70×103kg/m3，莫氏硬度晶系，其順電相和鐵電相的空間群分別為_R 3C 和 R3C ，結(jié)構(gòu)

【參考文獻(xiàn)】：
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博士論文
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本文編號：3528694