特征基函數(shù)法在粗糙面電磁散射中的應(yīng)用
發(fā)布時間:2021-11-14 17:52
矩量法(Method of Moments,MoM)以其無需額外設(shè)置邊界條件、計算精度高等優(yōu)點而被廣泛應(yīng)用于粗糙面電磁散射的數(shù)值仿真中,然而MoM的矩陣方程是一個滿陣方程,在處理具有較多未知量的粗糙面電磁散射問題時對計算機內(nèi)存的需求過大,耗時過長。本文首先利用特征基函數(shù)法(Characteristic Basis Function Method,CBFM)研究了一維粗糙面及其與目標的復(fù)合電磁散射。然后,通過引入迭代收斂門限,采用自適應(yīng)修正特征基函數(shù)法(Adaptively Modified Characteristic Basis Function Method,AMCBFM)研究了一維理想導體(Perfectly Electric Conductor,PEC)粗糙面的電磁散射,實現(xiàn)了次要特征基函數(shù)的自適應(yīng)終止。最后將AMCBFM與梅利技術(shù)(AMCBFM-Maehly)結(jié)合研究了一維粗糙面的寬帶電磁散射特性。本文的主要工作如下:1、給出了MoM的基本原理,并推導了基于MoM的一維PEC粗糙面電磁散射的積分方程和矩陣方程,給出了矩量法在介質(zhì)粗糙面及其與導體目標復(fù)合電磁散射中的理論公式,討...
【文章來源】:安徽大學安徽省 211工程院校
【文章頁數(shù)】:69 頁
【學位級別】:碩士
【部分圖文】:
圖2-6?f同均方根高度時一維PEC?ft斯粗糙面雙站散射系數(shù)的對比??
相關(guān)長度和均方根高度是描述隨機粗糙面各統(tǒng)計參量中最基本的兩個量。接??下來主要研究這兩個參數(shù)對高斯粗糙面電磁散射特性的影響。??圖2-6、圖2-7和圖2-8分別顯示了均方根高度和相關(guān)長度以及入射波的極??化方式對高斯粗糙面電磁散射特性的影響。入射角為3=30,入射波的頻率取??為/?=?1.5GHz,模擬的粗糙面采樣間隔為心=/1/丨0,因此祖糙面長度為??1?=?409.6A。??在圖2-6中描述了當電磁波以垂直極化方式入射時,均方根高度變化對一維??PEC卨斯粗糙面雙站散射系數(shù)的影響。從閣中可以看出,'與相關(guān)長度固定取為??/?=?〇.5又時,均方根高度取值較。ǎ担僵枺枺担?〇.2/1)情況下,在0、=6>,方向上有一??個明顯的峰值出現(xiàn),而其附近的散射系數(shù)逐漸減。弘S卷均方報高度的增加??(?5=0.3/1 ̄0.5/1),后向(必=〇方向上將會出現(xiàn)后向增強效應(yīng)。這足因為當相關(guān)??長度恒定時
相關(guān)長度的變化而變化。然而,隨著相關(guān)長度的增加,其余方向散射系數(shù)迅速??減小。??圖2-8比較了?H和V極化方式下一維PEC高斯粗糙面雙站散射系數(shù)。均方??根高度和相關(guān)長度分別取為々0.2/L和l=1.5i,可以看出,在該入射條件下,在??0=6?,方向上,H極化方式下的雙站散射系數(shù)比V極化的大,然而在其余方向??上,V極化條件下的散射系數(shù)要高于H極化的情況。??§?-30-?/?/?jT??丨?1.5X?、|?/?6=0.2X??°?I?/?H?料以丨?0?_45-?1=1.5X??45?/?J??-60-?/?J??^?t?}?%?.?,?.?,?.?-75??L???90?-60?-30?0?30?60?9(?-90?-60?-30?0?30?60?9(??0s(deg)?0(deg)??圖2-7不同相關(guān)長度時-維PEC高斯?圖2-8不同極化方式時一維PEC高斯??粗糙面雙站散射系數(shù)的對比?粗糙面雙站散射系數(shù)對比??2.3?MoM在一維介質(zhì)粗糙海面與上方PEC目標復(fù)合電磁散??射中的應(yīng)用??23.1理論公式??圖2-9中,圓柱目標被放置在(0,/7)處,半徑為r,輪廓函數(shù)為z?=?Z,(x)。與??上一節(jié)類似,空間依然是自由空間,對應(yīng)電磁參數(shù)為(&./〇,?4空間的電磁??參數(shù)是(£?
【參考文獻】:
期刊論文
[1]改進的特征基函數(shù)法分析電磁散射問題[J]. 王全全,王唯,劉志偉,陳華,樊振宏,陳如山. 系統(tǒng)工程與電子技術(shù). 2010(10)
[2]利用奇異值分解快速計算單站RCS的算法[J]. 顧晶晶,顧長青. 微波學報. 2010(02)
[3]電磁散射研究中的自適應(yīng)修正特征基函數(shù)法[J]. 韓國棟,顧長青. 電子與信息學報. 2008(10)
[4]二維多導體柱電磁散射特性的特征基函數(shù)法分析[J]. 孫玉發(fā),張奕,徐善駕,陳學佺. 電波科學學報. 2006(02)
博士論文
[1]粗糙海面與目標復(fù)合電磁散射相關(guān)算法的研究與優(yōu)化[D]. 滿明遠.西安電子科技大學 2014
[2]改進特征基函數(shù)法及其在電磁散射中的應(yīng)用[D]. 王仲根.安徽大學 2014
[3]基于特征基函數(shù)的高效算法及其在電磁散射中的應(yīng)用[D]. 韓國棟.南京航空航天大學 2008
碩士論文
[1]梅利技術(shù)在粗糙面寬帶電磁散射中的應(yīng)用[D]. 包然.安徽大學 2018
[2]支持向量機方法在粗糙面和目標復(fù)合電磁逆散射中的應(yīng)用[D]. 劉釗.西安電子科技大學 2012
本文編號:3495084
【文章來源】:安徽大學安徽省 211工程院校
【文章頁數(shù)】:69 頁
【學位級別】:碩士
【部分圖文】:
圖2-6?f同均方根高度時一維PEC?ft斯粗糙面雙站散射系數(shù)的對比??
相關(guān)長度和均方根高度是描述隨機粗糙面各統(tǒng)計參量中最基本的兩個量。接??下來主要研究這兩個參數(shù)對高斯粗糙面電磁散射特性的影響。??圖2-6、圖2-7和圖2-8分別顯示了均方根高度和相關(guān)長度以及入射波的極??化方式對高斯粗糙面電磁散射特性的影響。入射角為3=30,入射波的頻率取??為/?=?1.5GHz,模擬的粗糙面采樣間隔為心=/1/丨0,因此祖糙面長度為??1?=?409.6A。??在圖2-6中描述了當電磁波以垂直極化方式入射時,均方根高度變化對一維??PEC卨斯粗糙面雙站散射系數(shù)的影響。從閣中可以看出,'與相關(guān)長度固定取為??/?=?〇.5又時,均方根高度取值較。ǎ担僵枺枺担?〇.2/1)情況下,在0、=6>,方向上有一??個明顯的峰值出現(xiàn),而其附近的散射系數(shù)逐漸減。弘S卷均方報高度的增加??(?5=0.3/1 ̄0.5/1),后向(必=〇方向上將會出現(xiàn)后向增強效應(yīng)。這足因為當相關(guān)??長度恒定時
相關(guān)長度的變化而變化。然而,隨著相關(guān)長度的增加,其余方向散射系數(shù)迅速??減小。??圖2-8比較了?H和V極化方式下一維PEC高斯粗糙面雙站散射系數(shù)。均方??根高度和相關(guān)長度分別取為々0.2/L和l=1.5i,可以看出,在該入射條件下,在??0=6?,方向上,H極化方式下的雙站散射系數(shù)比V極化的大,然而在其余方向??上,V極化條件下的散射系數(shù)要高于H極化的情況。??§?-30-?/?/?jT??丨?1.5X?、|?/?6=0.2X??°?I?/?H?料以丨?0?_45-?1=1.5X??45?/?J??-60-?/?J??^?t?}?%?.?,?.?,?.?-75??L???90?-60?-30?0?30?60?9(?-90?-60?-30?0?30?60?9(??0s(deg)?0(deg)??圖2-7不同相關(guān)長度時-維PEC高斯?圖2-8不同極化方式時一維PEC高斯??粗糙面雙站散射系數(shù)的對比?粗糙面雙站散射系數(shù)對比??2.3?MoM在一維介質(zhì)粗糙海面與上方PEC目標復(fù)合電磁散??射中的應(yīng)用??23.1理論公式??圖2-9中,圓柱目標被放置在(0,/7)處,半徑為r,輪廓函數(shù)為z?=?Z,(x)。與??上一節(jié)類似,空間依然是自由空間,對應(yīng)電磁參數(shù)為(&./〇,?4空間的電磁??參數(shù)是(£?
【參考文獻】:
期刊論文
[1]改進的特征基函數(shù)法分析電磁散射問題[J]. 王全全,王唯,劉志偉,陳華,樊振宏,陳如山. 系統(tǒng)工程與電子技術(shù). 2010(10)
[2]利用奇異值分解快速計算單站RCS的算法[J]. 顧晶晶,顧長青. 微波學報. 2010(02)
[3]電磁散射研究中的自適應(yīng)修正特征基函數(shù)法[J]. 韓國棟,顧長青. 電子與信息學報. 2008(10)
[4]二維多導體柱電磁散射特性的特征基函數(shù)法分析[J]. 孫玉發(fā),張奕,徐善駕,陳學佺. 電波科學學報. 2006(02)
博士論文
[1]粗糙海面與目標復(fù)合電磁散射相關(guān)算法的研究與優(yōu)化[D]. 滿明遠.西安電子科技大學 2014
[2]改進特征基函數(shù)法及其在電磁散射中的應(yīng)用[D]. 王仲根.安徽大學 2014
[3]基于特征基函數(shù)的高效算法及其在電磁散射中的應(yīng)用[D]. 韓國棟.南京航空航天大學 2008
碩士論文
[1]梅利技術(shù)在粗糙面寬帶電磁散射中的應(yīng)用[D]. 包然.安徽大學 2018
[2]支持向量機方法在粗糙面和目標復(fù)合電磁逆散射中的應(yīng)用[D]. 劉釗.西安電子科技大學 2012
本文編號:3495084
本文鏈接:http://sikaile.net/kejilunwen/wulilw/3495084.html
最近更新
教材專著