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雙源激勵介質(zhì)阻擋放電等離子體特性研究

發(fā)布時間:2021-10-09 21:22
  介質(zhì)阻擋放電是一種大氣壓下就可以產(chǎn)生穩(wěn)定的、相對均勻的等離子體的放電模式,在表面改性、薄膜沉積、離子刻蝕等工業(yè)領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用。介質(zhì)阻擋放電是在電極之間加入絕緣介質(zhì),外加電壓必須是交流電源。工頻交流電源激勵介質(zhì)阻擋放電時,放電功率較小,達不到很好的放電效果;高頻交流電源激勵介質(zhì)阻擋放電時,注入反應(yīng)器的能量很大,但注入的能量會有很大一部分轉(zhuǎn)化為熱能和光能,因此能量利用效率不高。本文采用雙電源激勵介質(zhì)阻擋放電,其中高頻電源用于提高放電次數(shù)從而增大離子密度,低頻電源用于提高電壓幅值從而提高放電強度,實現(xiàn)一種更好的在大氣壓條件下的等離子體源激勵介質(zhì)阻擋放電反應(yīng)器。本文主要研究了雙源激勵供電相比于單高頻、單工頻供電的優(yōu)勢,工頻、高頻電源電壓幅值對雙源激勵供電的影響,雙源激勵供電的仿真研究以及大氣壓氬氣中高頻供電和雙源供電對介質(zhì)阻擋放電均勻性的研究。主要研究內(nèi)容如下:(1)研究了單高頻、單工頻及雙源激勵介質(zhì)阻擋放電,以及電壓總幅值相同時,高頻電源和工頻電源電壓幅值占比不同時,工頻、高頻電源電壓幅值對雙源激勵供電的影響。結(jié)果表明:從放電形貌、電壓電流波形和發(fā)射光譜強度都可以看出在相同電壓下高頻供電比... 

【文章來源】:大連理工大學(xué)遼寧省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】:65 頁

【學(xué)位級別】:碩士

【文章目錄】:
摘要
Abstract
引言
1 緒論
    1.1 等離子體概述
        1.1.1 等離子體介紹
        1.1.2 低溫等離子體應(yīng)用
        1.1.3 低溫等離子體的產(chǎn)生方式
    1.2 介質(zhì)阻擋放電
        1.2.1 介質(zhì)阻擋放電的分類
        1.2.2 大氣壓介質(zhì)阻擋放電的研究現(xiàn)狀
    1.3 雙源激勵介質(zhì)阻擋放電等離子體的研究現(xiàn)狀
    1.4 研究意義和研究內(nèi)容
2 實驗裝置和測量方法
    2.1 引言
    2.2 實驗系統(tǒng)
    2.3 實驗分析測量方法
        2.3.1 電源輸出功率的測量
        2.3.2 反應(yīng)器放電功率的測量
        2.3.3 臭氧的測量
        2.3.4 反應(yīng)器電容的測量
    2.4 實驗儀器和試劑
    2.5 本章小結(jié)
3 電源參數(shù)對雙源激勵DBD的影響
    3.1 引言
    3.2 雙源激勵DBD匹配電路的選取
    3.3 單頻高壓電源激勵DBD等離子體特性
        3.3.1 放電形貌的對比
        3.3.2 電壓電流波形的對比
        3.3.3 放電功率的對比
        3.3.4 發(fā)射光譜強度的對比
    3.4 工頻、高頻電源電壓幅值對雙源激勵DBD的影響
        3.4.1 工頻、高頻電源電壓幅值對雙源激勵DBD功率的影響
        3.4.2 工頻、高頻電源電壓幅值對雙源激勵DBD形貌的影響
        3.4.3 工頻、高頻電源電壓幅值對雙源激勵DBD發(fā)射光譜強度的影響
        3.4.4 工頻、高頻電源電壓幅值對雙源激勵DBD臭氧產(chǎn)生的影響
    3.5 高頻、工頻電源電壓占比不同時的放電特性
        3.5.1 放電形貌的影響
        3.5.2 電壓電流波形的影響
    3.6 本章小結(jié)
4 雙源激勵DBD的仿真研究
    4.1 引言
    4.2 仿真模型的搭建
    4.3 單工頻放電和單高頻放電的對比
    4.4 雙源激勵DBD對高能電子的影響
    4.5 雙源激勵DBD對活性物質(zhì)生成量的影響
    4.6 本章小結(jié)
5 大氣壓氬氣中高頻供電和雙源供電對DBD均勻性的研究
    5.1 引言
    5.2 電氣參數(shù)對大氣壓氬氣中DBD均勻性的影響
        5.2.1 高頻電壓幅值對放電形貌和放電功率影響
        5.2.2 高頻電壓幅值對轉(zhuǎn)振溫度的影響
        5.2.3 外加放電頻率對大氣壓氬氣條件下DBD特性的影響
    5.3 氣隙間距對大氣壓氬氣條件下DBD放電特性的影響
    5.4 載氣流量對大氣壓氬氣條件DBD放電特性的影響
    5.5 本章小結(jié)
6 結(jié)論與展望
    6.1 結(jié)論
    6.2 展望
參考文獻
攻讀碩士學(xué)位期間發(fā)表學(xué)術(shù)論文情況
致謝


【參考文獻】:
期刊論文
[1]大氣壓介質(zhì)阻擋放電雙頻調(diào)制技術(shù)數(shù)值模擬研究[J]. 張仲麟,聶秋月,王志斌,孔繁榮,江濱浩.  電工技術(shù)學(xué)報. 2017(08)
[2]結(jié)構(gòu)及供電電源對沿面介質(zhì)阻擋放電裝置放電特性及臭氧生成的影響[J]. 商克峰,王浩,岳帥,李杰,吳彥.  電工技術(shù)學(xué)報. 2017(02)
[3]等離子體種子處理技術(shù)介紹[J]. 吳忠民,王慶江.  新農(nóng)業(yè). 2017(02)
[4]大氣壓脈沖氣體放電與等離子體應(yīng)用[J]. 邵濤,章程,王瑞雪,嚴萍,任成燕.  高電壓技術(shù). 2016(03)
[5]不同電源激勵下多針-平板介質(zhì)阻擋放電特性比較[J]. 黃發(fā)輝,楊靜,吳偉杰,方志.  絕緣材料. 2015(12)
[6]光譜法測量低壓熱噴涂等離子體的電子溫度和電子密度[J]. 孫成琪,高陽,楊德明,何坤.  激光與光電子學(xué)進展. 2015(04)
[7]大氣壓氬氣介質(zhì)阻擋放電特性隨模式的演化[J]. 郝艷捧,鄭彬,劉耀閣.  高電壓技術(shù). 2014(10)
[8]大氣壓氦等離子體射流氣體溫度的光譜診斷(英文)[J]. 常正實,邵先軍,張增輝,張冠軍.  高電壓技術(shù). 2013(09)
[9]流動氬氣介質(zhì)阻擋放電特性及振動溫度研究[J]. 李雪辰,劉潤甫,常媛媛,趙歡歡.  光譜學(xué)與光譜分析. 2013(02)
[10]大氣壓不同惰性氣體介質(zhì)阻擋放電特性的比較[J]. 羅海云,冉俊霞,王新新.  高電壓技術(shù). 2012(05)

博士論文
[1]沿面—填充床復(fù)合放電等離子體及其協(xié)同催化降解苯的研究[D]. 姜楠.大連理工大學(xué) 2014
[2]大氣壓納秒脈沖介質(zhì)阻擋放電光譜特性與應(yīng)用基礎(chǔ)研究[D]. 楊德正.大連理工大學(xué) 2012

碩士論文
[1]介質(zhì)阻擋放電的邊界效應(yīng)[D]. 李璐璐.北京理工大學(xué) 2015
[2]頻率比對雙頻容性耦合等離子體SiO2刻蝕的影響[D]. 楊玲.蘇州大學(xué) 2010



本文編號:3427025

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