搭建在線(xiàn)監(jiān)測(cè)平臺(tái)對(duì)康寧SMF-28單模光纖進(jìn)行在線(xiàn)監(jiān)測(cè),得到了光損耗與拋磨深度的關(guān)系。在拋磨區(qū)長(zhǎng)度為10mm時(shí),結(jié)果發(fā)現(xiàn),隨著拋磨深度的加大,光纖的光功率損耗值逐漸加大,并且損耗值隨拋磨深度的變化是非線(xiàn)性的。在拋磨深度為55μm,即拋磨至接近纖芯位置時(shí),光纖的光功率損耗值達(dá)到最大-27dB。通過(guò)對(duì)拋磨深度與光損耗關(guān)系的研究,說(shuō)明該系統(tǒng)可以實(shí)時(shí)測(cè)量光纖拋磨時(shí)損耗大小,為拋磨光纖傳感器的制作提供了理論和實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)。 

【文章來(lái)源】：山西電子技術(shù). 2020,(03)

【文章頁(yè)數(shù)】：4 頁(yè)

【部分圖文】：

拋磨系統(tǒng)連接圖

光纖拋磨前后對(duì)比

當(dāng)包層拋磨掉52μm,剩余包層厚度為5μm,此時(shí)光泄漏量開(kāi)始增加,并隨著包層剩余厚度的減小。從圖上可看到,剩余厚度從72.763 μm開(kāi)始,每近似拋磨1 μm,拋磨損耗功率不斷變大,并且每?jī)纱螔伳デ昂髶p耗功率的差值也在不斷變大。拋磨光纖剩余厚度為67.887 μm時(shí),開(kāi)始出現(xiàn)不同波長(zhǎng)的光透射功率不同的現(xiàn)象,拋磨光纖剩余厚度為66.631 μm時(shí),此現(xiàn)象尤為明顯,波長(zhǎng)為1325 nm和1537 nm的光泄漏量尤其大,說(shuō)明剩余包層厚度變小時(shí),此波長(zhǎng)的光容易泄漏出去。拋磨光纖剩余厚度為65.509 μm時(shí),出現(xiàn)1310～1345 nm波段光泄漏量變大的現(xiàn)象,由此推測(cè),對(duì)于此光纖包層變小時(shí),此波段的光更容易泄漏。繼續(xù)拋磨0.6 μm后,發(fā)現(xiàn)1275～1400 nm波段的光功率相比前次有增加,1400～1600 nm依然繼續(xù)降低。圖6 不同剩余厚度透射光譜

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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碩士論文
[1]光纖側(cè)面拋磨關(guān)鍵技術(shù)研究[D]. 張亞勛.哈爾濱工程大學(xué) 2012
[2]側(cè)邊拋磨光纖器件的仿真分析[D]. 曾應(yīng)新.暨南大學(xué) 2006
[3]新型D型少模光纖Bragg光柵的特性及其在折射率測(cè)量中的應(yīng)用[D]. 李杰.廈門(mén)大學(xué) 2006



本文編號(hào)：3383872