由于物聯(lián)網(wǎng)逐步深入我們社會(huì)生產(chǎn)和社會(huì)活動(dòng)中,與信號(hào)獲取相關(guān)的傳感器就顯得愈發(fā)重要。其中,磁傳感器廣泛應(yīng)用于探測(cè)、獲取、存儲(chǔ)、變換、重現(xiàn)和監(jiān)控各種磁場(chǎng)。在當(dāng)前信息化浪潮中,磁傳感器作為基礎(chǔ)電子元件在信息社會(huì)中發(fā)揮不可替代的作用。而目前電子產(chǎn)品的小型化、精確性,以及對(duì)復(fù)雜環(huán)境的適應(yīng)性都對(duì)磁傳感器的綜合性能提出了更高的要求。非晶絲作為一種非晶態(tài)合金絲,因其良好的軟磁性能和特殊的巨磁阻抗效應(yīng)而引起廣大磁傳感器科研工作者的關(guān)注。當(dāng)前對(duì)非晶絲建模和測(cè)量技術(shù)研究都集中在均勻軸向磁場(chǎng)中并忽略了非晶絲磁化時(shí)退磁場(chǎng)的影響,缺乏在考慮退磁場(chǎng)時(shí)對(duì)非晶絲在非均勻軸向磁場(chǎng)中的阻抗特性研究。為了提高非晶絲磁傳感器對(duì)非均勻磁場(chǎng)的分辨力,本文提出了一種針對(duì)軸向非均勻磁場(chǎng)下的非晶絲測(cè)量方法。在本課題中主要研究如何利用非晶絲巨磁阻抗特性測(cè)量軸向非均勻磁場(chǎng),即對(duì)非晶絲在軸向非均勻磁場(chǎng)中阻抗張量建模。在文中結(jié)合電磁理論,通過解Maxwell方程獲得高頻激勵(lì)下均勻軸向磁場(chǎng)中的非晶絲阻抗張量模型。根據(jù)退磁理論和非晶絲中退磁因子的分布曲線建立非晶絲退磁場(chǎng)模型。根據(jù)電流的磁效應(yīng),利用長直導(dǎo)線周圍空間磁場(chǎng)分布構(gòu)建非均勻磁場(chǎng)模型。通過對(duì)非... 

【文章來源】：哈爾濱工業(yè)大學(xué)黑龍江省 211工程院校 985工程院校

【文章頁數(shù)】：74 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

非均勻磁場(chǎng)平臺(tái)

圖 4-3 非晶絲測(cè)試板晶絲阻抗前端濾波電路設(shè)計(jì)絲阻抗前端濾波電路包含兩個(gè)部分：一部分是混頻電路， 設(shè)計(jì)的是第一部分混頻電路部分 混頻電路的主要作用是路信號(hào)混頻獲得 10.7 MHz 頻率的信號(hào)輸出到晶體濾波器信號(hào)為 1.0 MHz，設(shè)置另一路混頻信號(hào)為 9.7 MHz，那么可到 10.7 MHz 的混頻信號(hào) 電路中混頻器選取的是 ADI 公司的 AD835 芯片 這是一象限模擬電壓乘法器，其內(nèi)部工作原理圖如圖 4-4 所示 產(chǎn)生的線性乘積，輸出信號(hào)衰落為 3 dB，工作頻率為 25 ±5 V 從最大量程降至最小量程僅需 2.5 ns（RL 為 150 0.1%的建立時(shí)間一般需 20 ns 其差分輸入 X 同 Y 及其求狀態(tài) 低阻抗?fàn)顟B(tài)下輸出電壓（W）可提供高達(dá)±2.5 V 的

W9500K 25TGNDVCC5FBFB5C30.1uFFB11C15FB0.1uF32184U8AADA4077-2VCC-5R3010KR341KR3550RJ1W1100K 25TR321KC370.1uFC160.1uF67ADA40VCC5BR29 10KVCC5BADA4077-2C5910uFVPHS1C1810uF同相放大器MAV圖 4-10 調(diào)零放大電路D8302 相位差電壓PHSV 的處理類似，在這里就不在在同向放大電路中的放大倍數(shù)3A ，3A 的值也為 1


本文編號(hào)：3318467