由于物聯(lián)網(wǎng)逐步深入我們社會生產(chǎn)和社會活動中,與信號獲取相關(guān)的傳感器就顯得愈發(fā)重要。其中,磁傳感器廣泛應(yīng)用于探測、獲取、存儲、變換、重現(xiàn)和監(jiān)控各種磁場。在當(dāng)前信息化浪潮中,磁傳感器作為基礎(chǔ)電子元件在信息社會中發(fā)揮不可替代的作用。而目前電子產(chǎn)品的小型化、精確性,以及對復(fù)雜環(huán)境的適應(yīng)性都對磁傳感器的綜合性能提出了更高的要求。非晶絲作為一種非晶態(tài)合金絲,因其良好的軟磁性能和特殊的巨磁阻抗效應(yīng)而引起廣大磁傳感器科研工作者的關(guān)注。當(dāng)前對非晶絲建模和測量技術(shù)研究都集中在均勻軸向磁場中并忽略了非晶絲磁化時退磁場的影響,缺乏在考慮退磁場時對非晶絲在非均勻軸向磁場中的阻抗特性研究。為了提高非晶絲磁傳感器對非均勻磁場的分辨力,本文提出了一種針對軸向非均勻磁場下的非晶絲測量方法。在本課題中主要研究如何利用非晶絲巨磁阻抗特性測量軸向非均勻磁場,即對非晶絲在軸向非均勻磁場中阻抗張量建模。在文中結(jié)合電磁理論,通過解Maxwell方程獲得高頻激勵下均勻軸向磁場中的非晶絲阻抗張量模型。根據(jù)退磁理論和非晶絲中退磁因子的分布曲線建立非晶絲退磁場模型。根據(jù)電流的磁效應(yīng),利用長直導(dǎo)線周圍空間磁場分布構(gòu)建非均勻磁場模型。通過對非... 

【文章來源】：哈爾濱工業(yè)大學(xué)黑龍江省 211工程院校 985工程院校

【文章頁數(shù)】：74 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

非均勻磁場平臺

圖 4-3 非晶絲測試板晶絲阻抗前端濾波電路設(shè)計絲阻抗前端濾波電路包含兩個部分：一部分是混頻電路， 設(shè)計的是第一部分混頻電路部分 混頻電路的主要作用是路信號混頻獲得 10.7 MHz 頻率的信號輸出到晶體濾波器信號為 1.0 MHz，設(shè)置另一路混頻信號為 9.7 MHz，那么可到 10.7 MHz 的混頻信號 電路中混頻器選取的是 ADI 公司的 AD835 芯片 這是一象限模擬電壓乘法器，其內(nèi)部工作原理圖如圖 4-4 所示 產(chǎn)生的線性乘積，輸出信號衰落為 3 dB，工作頻率為 25 ±5 V 從最大量程降至最小量程僅需 2.5 ns（RL 為 150 0.1%的建立時間一般需 20 ns 其差分輸入 X 同 Y 及其求狀態(tài) 低阻抗?fàn)顟B(tài)下輸出電壓（W）可提供高達±2.5 V 的

W9500K 25TGNDVCC5FBFB5C30.1uFFB11C15FB0.1uF32184U8AADA4077-2VCC-5R3010KR341KR3550RJ1W1100K 25TR321KC370.1uFC160.1uF67ADA40VCC5BR29 10KVCC5BADA4077-2C5910uFVPHS1C1810uF同相放大器MAV圖 4-10 調(diào)零放大電路D8302 相位差電壓PHSV 的處理類似，在這里就不在在同向放大電路中的放大倍數(shù)3A ，3A 的值也為 1


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