為了優(yōu)化在長距離光纖通訊系統(tǒng)中采用的1.31μm波長的量子阱激光器,對AlGaInAs/InP材料的有源區(qū)應(yīng)變補償?shù)牧孔于寮す馄鬟M行了設(shè)計研究。采用應(yīng)變補償?shù)姆椒?根據(jù)克龍尼克-潘納模型理論計算出量子阱的能帶結(jié)構(gòu),設(shè)計出有源區(qū)由1.12%的壓應(yīng)變AlGaInAs阱層和0.4%的張應(yīng)變AlGaInAs壘層構(gòu)成。使用ALDS軟件對所設(shè)計出的器件進行了建模仿真,對其進行了閾值分析和穩(wěn)態(tài)分析。結(jié)果表明,在室溫25℃下,該激光器具有9mA的低閾值電流和0.4W/A較高的單面斜率效率;在勢壘層采用與勢阱層應(yīng)變相反的適當(dāng)應(yīng)變,可以降低生長過程中的平均應(yīng)變量,保證有源區(qū)良好的生長,改善量子阱結(jié)構(gòu)的能帶結(jié)構(gòu),提高對載流子的限制能力,降低閾值電流,提高飽和功率,改善器件的性能。 

【文章來源】：激光技術(shù). 2017,41(05)北大核心CSCD

【文章頁數(shù)】：5 頁

【文章目錄】：
引言
1 理論分析
    1.1 應(yīng)變補償理論
    1.2 勢阱層參量的計算
2 器件的基本結(jié)構(gòu)及軟件仿真
3 結(jié)論


【參考文獻】：
期刊論文
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