本文基于超高真空（UHV）磁控濺射系統(tǒng),進行了界面層對納米復合永磁材料及鐵磁材料間交換耦合強度影響的研究和高性能Nd-Ce-Fe-B永磁薄膜的制備及機理研究。主要使用了X射線衍射（XRD）、磁學測量系統(tǒng)的超導量子干涉儀（MPMS-SQUID）、掃描電子顯微鏡（SEM）、透射電子顯微鏡（TEM）、掃描探針顯微鏡（SPM）來測試和分析樣品的成分、相組成、形貌特征、晶粒尺寸、磁性能以及磁疇結(jié)構(gòu)等,研究并探討了不同種類界面層材料對交換耦合的影響,制備并分析了高Ce含量的Nd-Ce-Fe-B薄膜的高矯頑力原因。主要結(jié)果如下:（1）磁性材料的界面層（或中間層）會強烈影響磁性材料的磁性能和界面處的交換耦合。在一些特殊的情況下也會使交換耦合的性質(zhì)發(fā)生改變。界面層在調(diào)控鐵磁材料間交換耦合作用方面起著至關(guān)重要的作用,但目前仍未獲得兩者之間定量的變化關(guān)系。本文采用合理的實驗設計方法來定量地表征界面層對交換耦合強度的影響。選擇納米復合硬-軟磁多層膜結(jié)構(gòu)Sm-Co（15nm）/界面層（0-4 nm）/Fe（20 nm）來研究界面處的交換耦合作用。軟磁形核場相H_ns由實驗確定,本文中它被用作... 

【文章來源】：寧波大學浙江省

【文章頁數(shù)】：60 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

永磁材料的發(fā)展歷程

層全部由 Co 原子排列而成，按六角結(jié)構(gòu)o 原子按照 1:2 的比例排列而成，Sm 的原 g 和 c 的晶格位置。其磁晶各項異性常 HA=20~35 MA/m，它的居里溫度是 74稟性能。上世紀 60 年代，Nessbit 和 Hu項異性的 1:5 型六方晶格的化合物[5]。了磁能積高達 5.1 MGOe 的 SmCo5稀土業(yè)的制備工藝日益成熟，出現(xiàn)了靜壓制永磁材料的密度及磁性能。但其價格高格昂貴。

圖 1.3 巨磁電阻效應Fig. 1.3. The giant magneto-resistance的發(fā)現(xiàn)也造就了計算機硬盤存儲技術(shù)質(zhì)的飛越。觀的例子，在 1994 年，美國的 IBM 公司生產(chǎn)了輸出磁頭，將磁記錄材料的單位密度提高了 15 倍每平方英寸 3 GB 硬盤面密度所用的讀出頭，創(chuàng)下大小的硬盤，容量以及從往 4 GB 提升到了 1 TB錄技術(shù)的發(fā)展也造就了計算機的小型化、輕便化展[19, 20]。永磁材料永磁材料，是一種新型的永磁材料，是指在納米過一定的化學方法或者物理方法結(jié)合而成的一種最大磁能積(BH)max是一個重要的衡量標準，它與

【參考文獻】：
期刊論文
[1]燒結(jié)NdFeB永磁體的晶界微細結(jié)構(gòu)及性能研究進展[J]. 王靜,梁樂,武夢艷,陳詩豪,祝隱峰,曲冠雄,鄭博瀚,張瀾庭.  中國有色金屬學報. 2014(06)



本文編號：3107387