磁性拓?fù)洳牧螩d 3 As 2 與NaYbO 2 的磁性及電輸運(yùn)性質(zhì)研究
發(fā)布時(shí)間:2021-03-28 12:58
最近二十年間,拓?fù)淅碚撛谀蹜B(tài)物理方面發(fā)揮著越來(lái)越重要的作用,拓?fù)湫图ぐl(fā)在各種不同的凝聚態(tài)系統(tǒng)中都有體現(xiàn),這些新奇的拓?fù)淞孔討B(tài)極大地豐富了凝聚態(tài)物理學(xué)。陸續(xù)發(fā)現(xiàn)和報(bào)道了反常量子霍爾效應(yīng)、拓?fù)浣^緣體、外爾半金屬等奇異的物理現(xiàn)象和新材料。此外,還有一種新型的拓?fù)鋺B(tài),其中包含的準(zhǔn)粒子在交換操作下表現(xiàn)出非阿貝爾的統(tǒng)計(jì)性質(zhì),被認(rèn)為有希望在未來(lái)實(shí)現(xiàn)量子計(jì)算?偠灾,這些與拓?fù)湫蚝屯負(fù)鋺B(tài)相關(guān)的新材料和新現(xiàn)象將可能對(duì)下一代電子器件和量子計(jì)算機(jī)的發(fā)展發(fā)揮重要的價(jià)值。按照研究材料體系的不同,本文分為以下兩大部分。三維拓?fù)涞依税虢饘貱d3As2在費(fèi)米能級(jí)處存在一對(duì)受對(duì)稱性保護(hù)的狄拉克錐,這種特殊的能帶結(jié)構(gòu)使其有希望應(yīng)用于無(wú)能耗的新型電子器件,因而得到了廣泛的關(guān)注。有研究表明,磁性拓?fù)浒虢饘僦械耐負(fù)鋺B(tài)與電子之間的關(guān)聯(lián)作用可能導(dǎo)致新的拓?fù)湎唷A硗?磁性外爾半金屬中實(shí)現(xiàn)的反;魻栃(yīng),使其在實(shí)現(xiàn)無(wú)場(chǎng)的無(wú)能耗輸運(yùn)方面具有潛在的應(yīng)用價(jià)值。因此,我們的第一部分工作是將磁性Mn元素引入三維拓?fù)涞依税虢饘貱d3As2中,并研究其磁性和輸運(yùn)性質(zhì)。通過(guò)控制原材料Mn3As2和Cd3As2的比例,我們制備得到了多晶(Cd1...
【文章來(lái)源】:中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)安徽省 211工程院校 985工程院校
【文章頁(yè)數(shù)】:125 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【部分圖文】:
圖1.1不同對(duì)稱性破缺對(duì)應(yīng)的相變(a)晶體結(jié)構(gòu)相變對(duì)應(yīng)平移對(duì)稱性破缺;(b)磁相變對(duì)應(yīng)??旋轉(zhuǎn)對(duì)稱性破缺;(c)超導(dǎo)相變對(duì)應(yīng)規(guī)范對(duì)稱性破缺??
述里,可以有零個(gè)、一個(gè)、兩個(gè)或??者N個(gè)洞(N為整數(shù)),但絕對(duì)不會(huì)有半個(gè)洞、1.618?jìng)(gè)洞或者3.1415926個(gè)洞。??諾貝爾學(xué)獎(jiǎng)的發(fā)布會(huì)上主持人手里拿著的面包圈和一個(gè)帶把手的茶杯,在拓?fù)鋵W(xué)??上都是一回事,擁有同樣的不變性:一個(gè)洞。除了洞的個(gè)數(shù),還有其他特征數(shù)來(lái)??描述不同的拓?fù)涮匦浴??拓?fù)涞谋举|(zhì)是連續(xù)變化下的不變性。舉個(gè)例子,如果我們?cè)诶K子上打一個(gè)??結(jié),再把這根繩子首尾相連。這個(gè)繩結(jié)是解不開(kāi)的,如果想要去除這個(gè)結(jié),就只??能把繩子割斷。再比如說(shuō),渦旋。一個(gè)典型的渦旋結(jié)構(gòu)如圖1.3所示。任意選取??一個(gè)包含渦旋的閉合回路,我們可以發(fā)現(xiàn),圍繞著渦旋中心,自旋的夾角連續(xù)地??從0變化到2ti。如果以2ji作為單位,則渦旋的自旋夾角改變?yōu)椋,反渦旋為-1。??這一夾角的改變,是不依賴我們選擇的路徑的,因此可以把它看作渦旋的一個(gè)拓??撲表征。通過(guò)圖的對(duì)比我們可以看出,普通的波浪形自旋夾角改變是可以通過(guò)連??續(xù)變形消除掉的。而渦旋在連續(xù)變形下只能移動(dòng)位置,不能消除。這里我們稱,??渦旋因?yàn)橥負(fù)浣Y(jié)構(gòu)而獲得了保護(hù),無(wú)法被輕易的消除。把渦旋消除掉的唯一辦法??是引入一個(gè)與之手性相反的渦旋,讓它們相互抵消掉。??(a)?(b)?(c)?^??^???????丨.麵?*?^?4?/?A?^?\?\??丨■?丨丨"■丨丨??1???*?-?‘?‘‘??I?_??—????"???*????????丨丨■丨?????^?^??圖1.2超導(dǎo)、超流體波函數(shù)的相位構(gòu)型⑷基態(tài)構(gòu)型;(b)普通型激發(fā);(c)渦旋激發(fā)??Figure?1.2?Phase?configuration?of?wave?functio
?把這種磁性系統(tǒng)中的局域自旋結(jié)構(gòu)稱為磁性斯格明子t13]。接下來(lái)的一段時(shí)間里,??雖然有理論物理學(xué)家預(yù)言了某些磁性體系中可以存在磁性斯格明子,但實(shí)驗(yàn)方面??的進(jìn)展則較為緩慢,未能在實(shí)驗(yàn)上觀測(cè)到磁性斯格明子。直到2009年,Miihlabuer??等通過(guò)中子散射的辦法,于低溫和外加磁場(chǎng)的條件下,在MnSi單晶中首次觀察??到了磁性斯格明子的存在[14]。磁性斯格明子具有二維的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),中心自旋和??外圍自旋均指向面外且指向相反,其余自旋在面內(nèi)取向,由中心自旋逐漸過(guò)渡至??外圍自旋,如圖1.3所示。??轉(zhuǎn)''雜??圖1.3斯格明子示意圖l15l(a)布洛赫型斯格明子(b)奈爾型斯格明子??Figure?1.3?Schematic?of?skyrmions?I,s,?(a)?The?Bloch-type?(b)?The?Neel-type??8??
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]Mn doping effects on the gate-tunable transport properties of Cd3As2 films epitaxied on GaAs[J]. Hailong Wang,Jialin Ma,Qiqi Wei,Jianhua Zhao. Journal of Semiconductors. 2020(07)
本文編號(hào):3105599
【文章來(lái)源】:中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)安徽省 211工程院校 985工程院校
【文章頁(yè)數(shù)】:125 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【部分圖文】:
圖1.1不同對(duì)稱性破缺對(duì)應(yīng)的相變(a)晶體結(jié)構(gòu)相變對(duì)應(yīng)平移對(duì)稱性破缺;(b)磁相變對(duì)應(yīng)??旋轉(zhuǎn)對(duì)稱性破缺;(c)超導(dǎo)相變對(duì)應(yīng)規(guī)范對(duì)稱性破缺??
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?把這種磁性系統(tǒng)中的局域自旋結(jié)構(gòu)稱為磁性斯格明子t13]。接下來(lái)的一段時(shí)間里,??雖然有理論物理學(xué)家預(yù)言了某些磁性體系中可以存在磁性斯格明子,但實(shí)驗(yàn)方面??的進(jìn)展則較為緩慢,未能在實(shí)驗(yàn)上觀測(cè)到磁性斯格明子。直到2009年,Miihlabuer??等通過(guò)中子散射的辦法,于低溫和外加磁場(chǎng)的條件下,在MnSi單晶中首次觀察??到了磁性斯格明子的存在[14]。磁性斯格明子具有二維的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),中心自旋和??外圍自旋均指向面外且指向相反,其余自旋在面內(nèi)取向,由中心自旋逐漸過(guò)渡至??外圍自旋,如圖1.3所示。??轉(zhuǎn)''雜??圖1.3斯格明子示意圖l15l(a)布洛赫型斯格明子(b)奈爾型斯格明子??Figure?1.3?Schematic?of?skyrmions?I,s,?(a)?The?Bloch-type?(b)?The?Neel-type??8??
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]Mn doping effects on the gate-tunable transport properties of Cd3As2 films epitaxied on GaAs[J]. Hailong Wang,Jialin Ma,Qiqi Wei,Jianhua Zhao. Journal of Semiconductors. 2020(07)
本文編號(hào):3105599
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