雙核分子R線系高激發(fā)振轉(zhuǎn)態(tài)躍遷譜線的理論研究
發(fā)布時(shí)間:2021-02-18 20:04
本文基于課題組前期建立的差分收斂法(Difference Converging Method,DCM)中的微分思想,從雙核分子R線系躍遷能量的經(jīng)典表達(dá)形式出發(fā),推導(dǎo)獲得了僅需11條精確的R支躍遷譜線實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù),便可精確預(yù)測(cè)出該線系實(shí)驗(yàn)上難于測(cè)量的高激發(fā)振轉(zhuǎn)態(tài)躍遷譜線的新解析表達(dá)式。本論文利用該新公式研究了目前人們感興趣的NaAs分子在電子態(tài)A30+→X10+以及BiLi分子電子態(tài)A20+→X10+和A20+→X21的(0,0)躍遷帶的R線系躍遷譜線,并提出了一種定量預(yù)測(cè)實(shí)驗(yàn)值與理論值之間的誤差分析方法。通過(guò)一系列分析和討論,研究結(jié)果表明:(1)對(duì)于某分子體系R線系躍遷帶,DCM方法可從一組有限的實(shí)驗(yàn)躍遷譜線數(shù)據(jù)中遴選出誤差最小、最能表征整條躍遷帶物理性質(zhì)的11條躍遷譜線,基于這11條精確的譜線,新公式不但可以計(jì)算出實(shí)驗(yàn)上沒(méi)能給出的部分低激發(fā)振轉(zhuǎn)態(tài)躍遷譜線數(shù)據(jù),還能正確預(yù)測(cè)包含轉(zhuǎn)動(dòng)量子數(shù)J=80在內(nèi)的高激發(fā)態(tài)躍遷譜線數(shù)據(jù)。(2)新公式不使用分子的任何振動(dòng)、轉(zhuǎn)動(dòng)光譜常數(shù),便能精確預(yù)測(cè)出高激發(fā)振轉(zhuǎn)態(tài)的躍遷光譜數(shù)據(jù),DCM方法為研究雙原子分子電子態(tài)R支躍遷譜線提供了一種有效、簡(jiǎn)便的新思路。(3)...
【文章來(lái)源】:西華大學(xué)四川省
【文章頁(yè)數(shù)】:60 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
NaAs分子電子態(tài)31A0X0躍遷體系(0-0)躍遷帶R支躍遷譜線的實(shí)驗(yàn)值(“—”)
4.2. NaAs 分子電子態(tài)3 1A 0 X0 躍遷體系(0-0)帶 R 支躍遷譜線的實(shí)驗(yàn)值(“o”和 DCM 值(“+”)的逐差J J1J 比較ig.4.2. Experimental (“o”) and theoretical calculation (“+”) transition lines differen(J J1J ) of R-branch transitional emission spectral lines of (0-0) band of 3 1A 0 X0 transition of NaAs. 4.2 畫出了 NaAs 分子電子態(tài)3 1A 0 X0 躍遷體系(0,0)躍遷帶 R 線系實(shí)驗(yàn)值 理論計(jì)算值的躍遷譜線和譜線一級(jí)逐差J J1J ,其中實(shí)驗(yàn)值用(“o”DCM 計(jì)算值用(“+”)表示。從 4.2 圖中可以晰地看出 DCM 的理論計(jì)算值
圖 4.3. NaAs 分子電子態(tài)3 1A 0 X0 躍遷體系(0-0)帶 R 支躍遷譜線的實(shí)驗(yàn)值和 DC的誤差al( )Expt Cv v比較Fig.4.3. The difference( )Expt Calv vbetween the experimental and theoretical calculation results(0-0) band of theA 0 X0 transition of NaAs.
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]激光誘導(dǎo)熒光檢測(cè)技術(shù)[J]. 梁錫輝,區(qū)偉能,任豪,付治新. 激光與光電子學(xué)進(jìn)展. 2008(01)
本文編號(hào):3040030
【文章來(lái)源】:西華大學(xué)四川省
【文章頁(yè)數(shù)】:60 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
NaAs分子電子態(tài)31A0X0躍遷體系(0-0)躍遷帶R支躍遷譜線的實(shí)驗(yàn)值(“—”)
4.2. NaAs 分子電子態(tài)3 1A 0 X0 躍遷體系(0-0)帶 R 支躍遷譜線的實(shí)驗(yàn)值(“o”和 DCM 值(“+”)的逐差J J1J 比較ig.4.2. Experimental (“o”) and theoretical calculation (“+”) transition lines differen(J J1J ) of R-branch transitional emission spectral lines of (0-0) band of 3 1A 0 X0 transition of NaAs. 4.2 畫出了 NaAs 分子電子態(tài)3 1A 0 X0 躍遷體系(0,0)躍遷帶 R 線系實(shí)驗(yàn)值 理論計(jì)算值的躍遷譜線和譜線一級(jí)逐差J J1J ,其中實(shí)驗(yàn)值用(“o”DCM 計(jì)算值用(“+”)表示。從 4.2 圖中可以晰地看出 DCM 的理論計(jì)算值
圖 4.3. NaAs 分子電子態(tài)3 1A 0 X0 躍遷體系(0-0)帶 R 支躍遷譜線的實(shí)驗(yàn)值和 DC的誤差al( )Expt Cv v比較Fig.4.3. The difference( )Expt Calv vbetween the experimental and theoretical calculation results(0-0) band of theA 0 X0 transition of NaAs.
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]激光誘導(dǎo)熒光檢測(cè)技術(shù)[J]. 梁錫輝,區(qū)偉能,任豪,付治新. 激光與光電子學(xué)進(jìn)展. 2008(01)
本文編號(hào):3040030
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