14 T MRI（核磁共振成像）超導(dǎo)磁體電源屬于中國科學(xué)院B類先導(dǎo)科技專項(xiàng)培育項(xiàng)目的重點(diǎn)研發(fā)項(xiàng)目之一。根據(jù)超導(dǎo)磁體的大電感負(fù)載特性（電感量321 H,連接阻抗2mΩ）以及穩(wěn)流運(yùn)行狀態(tài)下,磁體電流穩(wěn)定度滿足10 ppm/h的高穩(wěn)定度要求,論文分別從主拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),控制系統(tǒng)兩個方面設(shè)計(jì)此超導(dǎo)磁體電源。該論文首先介紹了電源的主拓?fù)湓O(shè)計(jì)方案。通過對比分析市面上存在的各類高穩(wěn)定度電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),提出了三相不控整流橋串聯(lián)雙Buck電源拓?fù)?分別從AC-DC拓?fù)湓O(shè)計(jì)與DC-DC拓?fù)湓O(shè)計(jì)兩個方面闡述電源主拓?fù)浞桨傅脑O(shè)計(jì)思想;然后,采用狀態(tài)空間平均法對主回路拓?fù)溥M(jìn)行數(shù)學(xué)建模,為主回路拓?fù)涞膮?shù)計(jì)算,器件選型和功能分析奠定了基礎(chǔ)。論文依據(jù)電源的主拓?fù)湓O(shè)計(jì)方案,分別從電源的輸入級電路、初級Buck電路以及次級Buck電路三級電路展開具體分析。對于每一級電路,結(jié)合主回路拓?fù)涞臄?shù)學(xué)模型,在電源具體指標(biāo)的基礎(chǔ)上,利用等效負(fù)載模型,傅里葉分析法,完成各級電路的參數(shù)計(jì)算與器件選型。同時,論文具體分析了各級電路所起到的功能,從而驗(yàn)證了電源主回路設(shè)計(jì)方案的合理性。本文接著闡述了高穩(wěn)定度電源控制系統(tǒng)的設(shè)計(jì)。以如何實(shí)現(xiàn)高穩(wěn)定度電源... 

【文章來源】：中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)安徽省 211工程院校 985工程院校

【文章頁數(shù)】：95 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖１．１法國丨ｓｅｕｌｔ／ｌｎｕｍａｃ電源拓?fù)??（１）交流部分??交流部分包括兩個ＡＣ－ＤＣ電路模塊和三個４８?Ｖ不間斷直流電路模塊構(gòu)成

１．６本文研究的主要內(nèi)容??本文以設(shè)計(jì)１４?ＴＭＲＩ超導(dǎo)磁體電源為目標(biāo)，主要研究以下四個方面：??①選擇高穩(wěn)定度電源拓?fù)浞桨覆⒔⑼負(fù)涞臄?shù)學(xué)模型。??②根據(jù)高穩(wěn)定度電源的數(shù)學(xué)模型，計(jì)算電源的主回路參數(shù)并完成器件選分析其拓?fù)鋵?shí)現(xiàn)的功能，并通過仿真驗(yàn)證主回路拓?fù)湓O(shè)計(jì)的正確性。??③分析高穩(wěn)定度控制系統(tǒng)穩(wěn)定度的影響因素，并完成高穩(wěn)定度電源控制系設(shè)計(jì)，對控制系統(tǒng)的參數(shù)和選型提出要求。??④根據(jù)高穩(wěn)定度電源控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)，從硬件實(shí)現(xiàn)與軟件實(shí)現(xiàn)兩個方面搭穩(wěn)定電源控制系統(tǒng)，并對電源控制系統(tǒng)進(jìn)行初步測試。??６??

２．２．１相控整流拓?fù)??相控整流方案采取晶閘管作為開關(guān)器件，對于低壓大電流電源，常用雙反星??形相控整流電路，見圖２．１。其優(yōu)點(diǎn)在于：變壓器的二次側(cè)繞組極性相反，其直??流磁化將互相抵消；同時，平衡電抗器的存在可以使兩個晶閘管同時導(dǎo)通，從而??使輸出電流增大一倍；大電流下晶閘管導(dǎo)通壓降低。目前中國科學(xué)院等離子所??７??

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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碩士論文
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本文編號：2983598