采用甚高頻等離子增強化學氣相沉積技術(shù),以SiH₄,CH₄和O₂作為反應氣源,在150℃下制備非晶碳氧化硅薄膜,并對薄膜進行不同條件下快速熱退火處理,研究快速熱退火處理對其結(jié)構(gòu)和發(fā)光特性的影響.實驗表明,原始沉積薄膜在可見光全波段展現(xiàn)較強的光致發(fā)光特性,經(jīng)過快速熱退火處理后,其發(fā)光強度顯著增強.薄膜在700℃經(jīng)過快速熱退火10s后,相比于原始沉積薄膜,其發(fā)光強度增強6倍,肉眼可見強的藍綠光光發(fā)射.光熒光譜（PL）分析表明,薄膜的發(fā)光峰位不隨激發(fā)波長的改變而發(fā)生明顯變化.通過結(jié)合拉曼（Raman）光譜及傅里葉紅外吸收（FTIR）光譜對薄膜的微結(jié)構(gòu)及鍵合結(jié)構(gòu)分析,分析了不同退火溫度和退火時間對其藍綠光發(fā)射增強機制的影響. 

【文章來源】：南京大學學報(自然科學). 2017,53(03)北大核心

【文章頁數(shù)】：6 頁

【文章目錄】：
1 實驗部分
2 結(jié)果與分析
3 結(jié)論



本文編號：2963800