對不同能量密度激光晶化的硅量子點(diǎn)/碳化硅周期性多層膜的結(jié)構(gòu)與光學(xué)性質(zhì)進(jìn)行了研究.結(jié)果表明,激光晶化技術(shù)可以獲得晶化的硅量子點(diǎn)并且保持良好的周期性層狀結(jié)構(gòu);隨著激光能量密度的增大,多層膜中的硅量子點(diǎn)的晶化率和晶粒尺寸都隨之增大,光吸收系數(shù)增強(qiáng),吸收邊紅移,光學(xué)帶隙減小.進(jìn)而初步嘗試了對在鍍有氧化銦錫（ITO）透明導(dǎo)電電極的玻璃襯底上制備的基于硅量子點(diǎn)/碳化硅周期性多層膜的全硅量子點(diǎn)太陽能電池光伏性能的探索,提出利用KrF準(zhǔn)分子脈沖激光晶化技術(shù)代替?zhèn)鹘y(tǒng)的高溫退火技術(shù)來獲得全硅量子點(diǎn)電池的方法,以避免長時(shí)間的高溫過程對玻璃襯底和ITO膜的破壞,獲得了有效面積為0.8cm2的電池.研究發(fā)現(xiàn)激光晶化技術(shù)制備的全硅量子點(diǎn)電池具有良好的整流特性,并且隨著激光能量密度的增大,電池的外量子效率先增大后減小,170mJ·cm^-2是最佳的激光晶化能量密度,基于此條件制備的全硅量子點(diǎn)電池初步獲得了0.16mA·cm-2的短路電流密度. 

【文章來源】：南京大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)). 2017年03期 北大核心

【文章頁數(shù)】：8 頁

【文章目錄】：
1 實(shí)驗(yàn)部分
    1.1 原料
    1.2 實(shí)驗(yàn)步驟
        1.2.1 基于非晶硅/非晶碳化硅 （a-Si/a-SiC） 周期性多層膜p-i-n結(jié)構(gòu)的制備
        1.2.3 全硅量子點(diǎn)太陽能電池的制備
    1.3 表征與測試
2 結(jié)果與討論
    2.1 拉曼散射光譜分析
    2.2 TEM圖像分析
    2.3 樣品的光學(xué)性質(zhì)
    2.4 電池的器件特性
3 結(jié)論



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