本文以單管射流電極結(jié)構(gòu)的射流源為基本單元,擴(kuò)展成二維陣列式大面積射流等離子體源。通過空間分辨下系統(tǒng)光學(xué)和電學(xué)診斷,探討了該大氣壓單管射流等離子體放電及其射流等離子體陣列放電的相關(guān)特性。首先,通過測量射流等離子體的電壓電流波形、粒子發(fā)射光譜強(qiáng)度等技術(shù)手段研究了單管射流等離子體放電特性及其射流陣列放電特性。通過改變外加工作電壓的幅值研究電壓對單管射流等離子體及其射流陣列放電現(xiàn)象的影響。利用放電平均功率等電學(xué)參量研究單管射流等離子體及其射流陣列放電的電氣特性。其次,采用空間分辨技術(shù)測量粒子的發(fā)射光譜強(qiáng)度探究單管射流等離子體及其射流等離子體陣列放電過程中產(chǎn)生的活性粒子在空間上的分布情況。通過對單管射流等離子體及其射流陣列的轉(zhuǎn)動(dòng)溫度和振動(dòng)溫度的測量,研究轉(zhuǎn)動(dòng)溫度和振動(dòng)溫度隨外加工作電壓以及其在空間上分布的變化情況。再次,為了探索射流等離子體在復(fù)合材料表面改性上的應(yīng)用,比較研究了環(huán)-環(huán)型氬氣單管射流放電、環(huán)-環(huán)型氬氣射流陣列放電、針-環(huán)型氬氣單管射流放電等三種射流等離子體源對碳納米管/環(huán)氧樹脂復(fù)合材料表面改性的影響。最后,選擇最適合的針-環(huán)型氬氣單管射流等離子體源,對碳納米管/環(huán)氧樹脂復(fù)合材料表面... 

【文章來源】：廣州大學(xué)廣東省

【文章頁數(shù)】：79 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

等離子體的溫度和密度分布情況

非理想等離子體：通常指的是當(dāng)電子的平均動(dòng)能低于電子平均能時(shí)的等離子體，這類等離子體被稱為非理想等離子體。子體產(chǎn)生方法子體的產(chǎn)生方法多種多樣，在實(shí)驗(yàn)室里通常情況下可以采用，熱致電離，激光輻射和射線輻射電離等多種方式來獲得等離中產(chǎn)生等離子體最常見的方法是氣體放電方式。其中電暈放電阻擋放電、輝光放電等是最常見氣體放電產(chǎn)生等離子體的幾種弧放電方式放電是一種非常劇烈的放電形式，放電過程中產(chǎn)生的電流可達(dá)，而且在放電過程中不僅會(huì)發(fā)出弧狀的強(qiáng)烈白光，還伴隨著幾高溫[3]。如圖 1-2，閃電也是一種很強(qiáng)的電弧放電，不能夠大

廣州大學(xué)碩士學(xué)位論文附近，局部電場強(qiáng)度高于氣體的電離場強(qiáng)，迫使氣體發(fā)生激電暈放電現(xiàn)象[3]。電暈放電既可能是不均勻電場間隙擊穿，也可能是均勻穩(wěn)定的放電形式。圖 1-3 中(a),(b)給出了電暈放電現(xiàn)象圖。

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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博士論文
[1]大氣壓非熱平衡等離子體射流電子能譜的演化及機(jī)理研究[D]. 陳歆羨.山東大學(xué) 2018

碩士論文
[1]大氣壓Ar/He等離子體射流光學(xué)特性研究[D]. 唐蕾.華北電力大學(xué) 2018
[2]常壓等離子體技術(shù)在表面功能化與材料制備中的應(yīng)用研究[D]. 韓琦.華東師范大學(xué) 2017
[3]大氣壓等離子體陣列及其機(jī)理研究[D]. 楊東瑾.蘇州大學(xué) 2016



本文編號(hào)：2949064