對未摻雜的In_0.22Ga_0.78As/GaAs量子阱材料開展了能量為1 MeV、電子注量達1×1016/cm²的電子束輻照實驗。實驗結(jié)果顯示,電子束轟擊量子阱材料,通過能量傳遞在材料中引入缺陷,導(dǎo)致光致發(fā)光減弱;電子束輻照后的量子阱中同時存在應(yīng)力釋放和原子互混現(xiàn)象,導(dǎo)致量子阱的發(fā)光峰先紅移后藍移;輻照后的量子阱發(fā)光波長取決于應(yīng)變弛豫和擴散的共同作用。 

【文章來源】：光學(xué)學(xué)報. 2017年02期 第199-206頁 北大核心

【文章頁數(shù)】：8 頁

【文章目錄】：
1 引言
2 實驗
    2.1 樣品選取
    2.2 輻照實驗
    2.3 參數(shù)測試
3 結(jié)果與討論
    3.1 光致發(fā)光譜
    3.2 發(fā)光峰中心波長
4 結(jié)論


【參考文獻】：
期刊論文
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本文編號：2907299