薄壁量子化方法及其在光學(xué)中的應(yīng)用
【學(xué)位單位】:南京大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【學(xué)位年份】:2019
【中圖分類】:O413;O441
【部分圖文】:
和相對(duì)強(qiáng)度無(wú)關(guān)。??參考第二章中的薄壁化過(guò)程,哈密頓量(3.3)可以分離為法向和切向的哈??密頓量,在本章中我們使用式(3.6)中的限制勢(shì)并引入方形邊界(如圖3.1),我??們繼續(xù)將法向哈密頓量免v分離成沿法向的哈密頓量右n和沿副法向的哈密頓??量??=?_2m^2?+?(3.7)??Hb?=? ̄2m^?^772^2^3^2'?(3.8)??與瓦和戌相關(guān)的本征方程就是量子力學(xué)中的簡(jiǎn)單的一維諧振子的求解問(wèn)題。于??是我們可以很容易地得到法向和副法向的基態(tài)表達(dá)式:??|Xn〇〉=?aH?嘩,?(3.9)??\Xw)?=?(3.10)??其中a?=?相應(yīng)的零點(diǎn)能為私〇?=五6〇?=?&/2。??于是根據(jù)式(3.2)、(3.3)、(3.9)和(3.10),我們可以得到曲線上的等效哈密頓??量為:??=?(XnOyboKf^Hf?5)? ̄?Hjv|XnO,6〇)〇??=lira?(XnO,6〇|(/^/ ̄5)?-?^jv|x?〇)W))??W400??1?.2?紀(jì)?2?^?2?in??=2^Pa ̄8^K? ̄4^r?5?(311)??其中丨Xn〇,W〉=?Ixn0〉?|xw〉,灸=一訪么是切向的動(dòng)量算符,一蓋《2即第二章??中提到的幾何勢(shì)&43,而第三項(xiàng)-蓋T2是由撓率誘導(dǎo)的幾何勢(shì)[112]。其中通常??的幾何勢(shì)-也可以從式(3.1)得到,但是撓率誘導(dǎo)的幾何勢(shì)-基T2卻不能從??式(3.1)得到
?q2?q2??圖3.1:方形邊界的情況。(a)具有方形橫截面的扭管。(b)橫截面及相應(yīng)的限制??力。(c)限制勢(shì)Vb(g2,g3)。(d)限制勢(shì)沿g2方向的示意圖。??其中P是定義在法平面上的極坐標(biāo)一一徑向坐標(biāo)。圓形邊界的薄壁化過(guò)程和方形??邊界的薄壁化過(guò)程中最重要的不同在于,后者凍結(jié)了法向的兩個(gè)維度而前者只??凍結(jié)法向的一個(gè)維度,即徑向維度,同時(shí)方位角維度的運(yùn)動(dòng)則保留下來(lái)了。由??于限制勢(shì)(3.13)具有SO(2)對(duì)稱性,內(nèi)在軌道角動(dòng)量乙跟哈密頓量戌v對(duì)易,1定??義為:??Ls?—?—ih(q2ds?—?=?—ihdg,?(3.14)??其中0表示法平面的極坐標(biāo)一一方位角坐標(biāo)。在極坐標(biāo)下,法向哈密頓量免V寫??1?為:??Hn?=?Sdppdp+^L2s?+?\mUj2p'?(3-15)??20??
(d)零溫時(shí),考慮(實(shí)線)和不考慮(虛線)自旋聯(lián)絡(luò)時(shí)的電導(dǎo)。??為了比較贗磁場(chǎng)和等效自旋軌道相互作用的效應(yīng),我們?cè)谶@里考慮彎曲柱??面上的粒子(參考圖3.4.(a))。相應(yīng)的哈密頓量為:??fr?—?R?R?+?pcosd??°?一?2mp2R?+?pcosede(?R?汍)??汽2?R2?m?^3?.?,12??2m?(R?+?pcos0)2?s?2i??Sm?]??h2?cos?9??+4mp(i??+?pcos0)?’?(3.69)??和??£j?—?ih2?R?cos?9?1??3〇i?=?2^p(R?+?pcos9){R?+?pcos9aeaa? ̄?(3.7〇)??31??
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