憶阻系統(tǒng)建模與混沌同步研究
【學位授予單位】:鄭州輕工業(yè)大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2019
【分類號】:O415.5;TP273
【圖文】:
憶電阻器(Memristor),它是表示磁通與電荷關系的電和電阻不同的是,憶阻的阻值是由流經(jīng)它的電荷確定系量之一,憶阻在很長的時間中都沒有被人們所認識科學家蔡少堂在研究了電壓、電流、電荷和磁通量四個律和物理量的對稱關系預測了電荷和磁通之間應該存憶阻。ackard 實驗室的科學家于 2008 年率先利用 Pt/TiO2/P,標志著對憶阻的研究從理論階段邁入了實物階段,科學家們研究了多種物質(zhì)的構造機理和化學屬性,從料,并對它們的電化學特性進行了詳細地分析[43,44],性。實驗表明,憶阻兩端在外界周期性激勵源的作用,這種非線性關系特性曲線稱之為對頻率響應的李薩如人員利用制備的憶阻通過模擬人腦神經(jīng)突觸特性,成力的類腦電路,為憶阻在人腦神經(jīng)領域的應用邁出了
量對系統(tǒng)動力學特性的影響。2009 年,Biolek 教授邊界條件憶阻模型,研究了憶阻磁滯回線的面積稱性原理,把憶阻的概念進行了廣義化的推廣,提授給出了憶阻的數(shù)學模型和 SPICE 宏觀模型,重點景[48]。2013 年,Machado 和 Savel 教授提出了高階向高階方向發(fā)展[49]。Adhikari 教授團隊通過對憶阻個獨特屬性:(1) 周期性激勵時,憶阻的二端口特勵頻率不斷增大時,憶阻的磁滯回線面積會單調(diào)遞憶阻的磁滯回線會趨向于一條過原點的單值函數(shù)[50動力學方程轉(zhuǎn)化為“理想憶阻”電路方程,同時證可轉(zhuǎn)換為非理想的憶阻,最后得出在某些憶阻電路 教授團隊提出了廣義邊界條件下的憶阻(GBCM)模相應的動力學調(diào)整方法[52]。
鄭州輕工業(yè)大學碩士學位論文理,提出并建立了磁控憶阻模型和荷控憶阻模型[55],豐富了憶阻器的模型,取得了一定的成果。2017 年,第 63 屆國際電子器件大會上,清華大學 Wu 教授作了“阻變隨機存儲器”的報告,提出了新的憶阻芯片架構并對其可行性和應用前景作了相關說明,為我國憶阻芯片的研究和實用化做出了重要貢獻[56]。
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