【摘要】：隨著量子科學(xué)和技術(shù)的不斷發(fā)展,人們對微觀量子世界的認識水平和操控能力不斷提高。量子資源在科技發(fā)展中有很大的應(yīng)用前景。壓縮態(tài)光場是一種非經(jīng)典效應(yīng),是一種量子關(guān)聯(lián)。壓縮光場可應(yīng)用于量子精密測量,如引力波探測、微弱磁場測量等。制備壓縮光的方案很多,其中很有效的一種是光學(xué)參量振蕩。我們實驗上制備了795nm Rb原子D1線真空壓縮光。光路中有很多鎖定腔長和相對相位的PDH相位調(diào)制反饋控制回路。而PDH相位調(diào)制中殘余的振幅調(diào)制RAM會使光學(xué)諧振腔鎖定點的零基線發(fā)生偏移,且RAM隨環(huán)境溫度隨機起伏,導(dǎo)致腔長失諧,相當于引入光場相位噪聲,相位噪聲會破壞壓縮光制備的最大壓縮度,也會使檢測壓縮光壓縮度時,由于反壓縮光的投影,破壞壓縮度。本論文的目的是抑制相位調(diào)制中的剩余振幅調(diào)制(Residual amplitude modulation)RAM。本文工作主要包括以下內(nèi)容:1.介紹壓縮光重要應(yīng)用背景及研究進展,抑制PDH相位調(diào)制中的剩余振幅調(diào)制的方案和國內(nèi)外研究進展。概述非線性光學(xué)中倍頻、參量振蕩過程中壓縮光的制備及壓縮光檢測的基礎(chǔ)理論;2.介紹PDH相位調(diào)制器鎖腔法原理,電光效應(yīng)物理基礎(chǔ);計算所制作的晶體的半波電壓,單楔晶體的半波電壓為187V,雙布氏晶體的半波電壓486V,但是由于調(diào)制器是共振型的,實際半波電壓大大減小;使用阻抗分析儀測電光調(diào)制器的阻抗特性,制作LC諧振電路及L型阻抗匹配網(wǎng)絡(luò),在8MHz調(diào)制頻率處,4°角晶體EOM的反射系數(shù)為3%,雙布儒斯特角晶體EOM反射系數(shù)小于1%;3.與商用直晶體EOM對比,單楔晶體調(diào)制頻率處的RAM噪聲功率峰值抑制了30d B,雙布氏角晶體EOM調(diào)制頻率處峰值抑制25d B;自制EOM晶體誤差信號零基線在一個小時漂移比商用直晶體EOM抑制24倍。使用單楔晶體調(diào)制器和Newfocus晶體調(diào)制器,鎖定光學(xué)諧振腔和相對相位,研究RAM對壓縮光壓縮度的影響。實驗結(jié)果表明自制晶體EOM有助于提高壓縮光的壓縮度;4.此外,論文中還介紹了852nm窄帶濾光片外腔反饋半導(dǎo)體激光器IF-ECDL的研究。激光波長調(diào)諧范圍為14nm。利用光纖延時聲光頻移自差拍法測量激光線寬:單濾光片ECDL線寬約為211k Hz,雙濾光片ECDL線寬約為187k Hz,掃描反饋鏡壓電陶瓷,激光頻率調(diào)諧范圍大于1.5GHz。
【學(xué)位授予單位】：山西大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2018
【分類號】：O413;O43
【圖文】：

（a）簡并參量放大；（b）簡并四波混頻

圖 2.1 PDH 相位調(diào)制法鎖腔原理示意圖。腔前入射光的電場為0i tincE E e ，在同一位置反射光的電場為：refE 稱無損耗 FP 腔，腔的反射耦合系數(shù)為[25]：

電光相位調(diào)制邊帶貝塞爾函數(shù)

【參考文獻】

相關(guān)期刊論文 前1條

1 唐恒敬;吳福全;鄧紅艷;;格蘭-泰勒棱鏡和格蘭-付科棱鏡透射比的比較研究[J];激光技術(shù);2006年02期

本文編號：2743461