高能量增益GDT聚變中子源物理設(shè)計研究
【圖文】:
功率的最高記錄一一達到了邋16.1MW,并持續(xù)了邋1秒的時間A需要指出的是,逡逑經(jīng)過修正瞬態(tài)脈沖的影響(部分注入能量被用于等離子體外部能量,而不是維持逡逑聚變反應(yīng)),JET裝置這次試驗的能量增益達到了邋0.94邋(而不是圖1.1中標(biāo)注的逡逑Q=0.65)l91。同年12月,日本在JT-60上利用氘-氘放電實驗,獲得了聚變實驗逡逑裝置最高的等離子體三重積參數(shù):峰值離子溫度 ̄45keV,電子溫度 ̄101^¥,等逡逑離子體密度?102()m-3,標(biāo)志聚變等離子體綜合參數(shù)的聚變?nèi)胤e達到了邋1.5xl021逡逑keVtnr3。折算到氘-氚反應(yīng),能量增益因子Q值達到了邋1.25,超過了勞遜判據(jù)逡逑2逡逑
聚變裝置中,采用加速器加速高能氘離子轟擊液態(tài)鋰靶的國際聚變材料輻照逡逑裝置(IFMIF),其產(chǎn)生的聚變中子能譜與氘氚聚變中子源能譜也有較大不同,如逡逑圖1.2所示。因此,,ffMIF無法模擬真實的氘氚聚變堆內(nèi)中子能譜,特別是在高逡逑能段的中子能譜偏差較大[23]。這些高能段的中子會額外引起高劑量氦產(chǎn)額,造成逡逑測試樣品過早的因為氦脆而損壞。這樣得到的測試結(jié)果對于模擬真實聚變中子環(huán)逡逑境值得商榷。逡逑(2)聚變堆關(guān)鍵部件的多物理耦合實驗研究逡逑聚變堆內(nèi)關(guān)鍵部件(如包層、偏濾器等)在包含著強磁場、高梯度溫度場、逡逑重力場等多物理場共同耦合作用下,其服役的穩(wěn)定性、可靠性面臨極大考驗。聚逡逑變堆具有中子能量高(14.06MeV)、中子流強高(>102Qn/s)、離子輻照熱流密度逡逑大(2?40MW/m2)、強磁場(4?12T)、高溫差(4K ̄108K)、放射性氚等特點,其對逡逑內(nèi)部件的可靠性與安全性具有遠不同于裂變堆的特殊性。例如,包層是實現(xiàn)聚變逡逑能轉(zhuǎn)換和聚變氚自持的關(guān)鍵部件,在聚變堆中面臨高通量的高能中子輻照逡逑(>2MW/m2,14.06MeV),強烈的等離子體燒蝕和表面熱沖擊,高梯度變化的熱逡逑負載、溫度場、磁場對包層材料產(chǎn)生強烈的輻照損傷、結(jié)構(gòu)應(yīng)力等。同時,磁場逡逑變化、浮力、湍流、重力共同作用下
【學(xué)位授予單位】:中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)
【學(xué)位級別】:博士
【學(xué)位授予年份】:2018
【分類號】:O571
【參考文獻】
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本文編號:2692505
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