超導量子比特器件制備與測控
【圖文】:
t逡逑ground逡逑圖2.3:邋(a)長度為L的CPW諧振器的俯視圖,右側(cè)為長度為&的叉指電容,左側(cè)為長度為逡逑&的間隙電容,兩側(cè)為側(cè)向地平面。(b)CPW諧振器的橫截面設計。寬度為w的中心導體逡逑和間隔為距離s的地位于基片上,采用標準的光刻、電子束蒸發(fā)和腐蝕工藝刻制而成;义腺|(zhì)是厚h=500nm,相對電容率El為10.34的藍寶石。逡逑15逡逑
ng邐na逡逑圖2.2:transmon能級結(jié)構圖。l281transmon量子比特當fy/fc取值的不同時,前三個能級隨逡逑門電荷的變化。躍遷頻率隨EJ/EC的增加呈指數(shù)下降,同時非諧性也逐漸減小。逡逑有重要的基礎意義,由于系統(tǒng)的相對簡單,,可以j-c哈密頓量很好地描述:逡逑(a)邐(b)逡逑ground逡逑S邋i邋^邐finger邐個■逡逑w邋¥邋gap邐center邋conductor逡逑^—'—t逡逑ground逡逑圖2.3:邋(a)長度為L的CPW諧振器的俯視圖,右側(cè)為長度為&的叉指電容,左側(cè)為長度為逡逑&的間隙電容,兩側(cè)為側(cè)向地平面。(b)CPW諧振器的橫截面設計。寬度為w的中心導體逡逑和間隔為距離s的地位于基片上,采用標準的光刻、電子束蒸發(fā)和腐蝕工藝刻制而成;义腺|(zhì)是厚h=500nm,相對電容率El為10.34的藍寶石。逡逑15逡逑
【學位授予單位】:南京大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2019
【分類號】:O413
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本文編號:2647185
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