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基于SP成像光刻技術(shù)的大面積均勻和高靈敏納米結(jié)構(gòu)SERS基底的制備與性能研究

發(fā)布時(shí)間:2020-04-08 03:06
【摘要】:表面增強(qiáng)拉曼散射(SERS)作為一種超敏感、簡單、快速、無損的檢測方法,在物質(zhì)檢測中得到了很好的應(yīng)用。在SERS的增強(qiáng)機(jī)理中,由貴金屬顆粒表面的表面等離子體共振(SPR)所激發(fā)的電磁增強(qiáng)占主體地位。由于SPR與納米結(jié)構(gòu)的周期及幾何參數(shù)緊密相關(guān),因此,想要得到較高SERS效應(yīng)的納米結(jié)構(gòu)基底,其制備工藝就顯得尤為重要。SP光刻技術(shù)由于其能突破傳統(tǒng)衍射極限,并且具有高分辨率以及無須引入復(fù)雜光刻鏡頭等優(yōu)勢成為研究熱點(diǎn)。本論文主要使用SP光刻技術(shù)中的成像光刻技術(shù)制備大面積(100mm~2)均勻且低成本的納米顆粒陣列結(jié)構(gòu),并研究結(jié)構(gòu)基底的SERS性能,包括基底均勻性、檢測靈敏性和穩(wěn)定性。具體研究內(nèi)容如下:1.基于SP成像光刻技術(shù)和離子束刻蝕(IBE)工藝,制備大面積均勻的單層菱形銀納米顆粒(SD-Ag NPs)陣列結(jié)構(gòu),將其作為SERS基底應(yīng)用于SERS檢測。在實(shí)驗(yàn)中,對(duì)SP成像光刻的成像結(jié)構(gòu)參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化,調(diào)節(jié)工藝參數(shù)制備出不同間距的SD-Ag NPs陣列結(jié)構(gòu)基底。使用R6G作為探針分子測得該基底拉曼增強(qiáng)因子高達(dá)10~7,且在大面積內(nèi)相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)方差(RSD)值低于14%(49μm~2面積內(nèi)RSD值低于10%),說明使用SP成像光刻技術(shù)制備的SERS基底具備大面積、高均勻性和高靈敏度的優(yōu)勢。利用CST仿真軟件計(jì)算了不同間距SD-Ag NPs陣列結(jié)構(gòu)的電磁場分布情況,結(jié)果顯示菱形間距越小,電磁場增強(qiáng)越大,與實(shí)驗(yàn)結(jié)果一致。2.為了得到更低成本以及高均勻性、高靈敏度和高穩(wěn)定性的SERS基底,將SP成像光刻技術(shù)與真空熱蒸發(fā)鍍膜工藝結(jié)合,在反射Ag層上制備大面積均勻的多層菱形PR/Ag/Au納米顆粒(MD-PR/Ag/Au NPs)陣列結(jié)構(gòu)SERS基底。實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示,該基底的拉曼增強(qiáng)因子高于SD-Ag NPs陣列結(jié)構(gòu)基底(EF10~7),且在大面積內(nèi)具有良好的均勻性(RSD15%),說明使用SP成像光刻技術(shù)和真空熱蒸發(fā)鍍膜工藝制備的SERS基底不僅有效面積大、成本低、操作簡單,而且還具備良好的均勻性和檢測靈敏度。另外,對(duì)比SD-Ag NPs陣列結(jié)構(gòu)基底和MD-PR/Ag/Au NPs陣列結(jié)構(gòu)基底的穩(wěn)定性發(fā)現(xiàn),在Ag膜表面增加一層Au能極好提高基底的穩(wěn)定性。
【圖文】:

示意圖,示意圖,增強(qiáng)機(jī)理,金屬表面


SERS 增強(qiáng)機(jī)理ERS 增強(qiáng)機(jī)理主要包含電磁(electromagnetic,簡稱 EM)增強(qiáng)和化學(xué)(chCM)增強(qiáng)兩部分,兩者在 SERS 基底上是共同作用的。其中,,EM 增強(qiáng)占對(duì) SERS 效應(yīng)的貢獻(xiàn)具有數(shù)量級(jí)優(yōu)勢[4]。)EM 增強(qiáng)機(jī)理 EM 增強(qiáng)機(jī)理中,表面等離子體共振(surface plasmon resonance,簡稱具說服力。外界電磁波和金屬表面中的傳導(dǎo)電子相互作用,會(huì)在金屬與產(chǎn)生電子集群振蕩,即表面等離子體(surface plasmons,簡稱 SPs)振果金屬表面?zhèn)鲗?dǎo)電子的振蕩頻率與電磁波的頻率一致,就會(huì)發(fā)生 SPR[22PR 的產(chǎn)生條件有兩種:其一是表面等離子激元(surface plasmon polar),它是金屬表面?zhèn)鞑ル娮拥募w振動(dòng)波,傳播原理如圖 1.1(a)所示;面等離子體基元(local surface plasmon resonance,簡稱 LSPR)。當(dāng)金寸遠(yuǎn)小于入射光波長時(shí),在外加場的作用下,局域在納米顆粒表面的 SPR[7],其振動(dòng)原理如圖 1.1(b)所示。

顆粒形貌,納米,納米線,納米結(jié)構(gòu)


)電化學(xué)還原法Fleischmann采用電化學(xué)還原法首次在粗糙的 Ag 電極表面觀察到 SERS 現(xiàn)一段時(shí)間內(nèi)電化學(xué)還原法應(yīng)用十分廣泛。該方法通過將金屬電極氧化成再被還原成金屬單質(zhì),使得被還原的金屬單質(zhì)吸附在電極表面,從而實(shí)糙化。除了 Ag 電極以外,該技術(shù)還能氧化還原 Au 和 Cu 電極。這種 S方法簡單、易操作、對(duì)實(shí)驗(yàn)要求不高且穩(wěn)定性好。但是使用該技術(shù)制備在分布不均勻、重復(fù)性差等問題。)化學(xué)還原法學(xué)還原法是在金屬鹽中加入穩(wěn)定劑,兩者發(fā)生化學(xué)反應(yīng)后生成金屬納米穩(wěn)定劑可以控制顆粒的長大,同時(shí)控制顆粒的形狀[33]。在化學(xué)還原法中應(yīng)用范圍最廣。使用化學(xué)合成法可以制備包括納米線、納米星、納米四方體等金屬顆粒形狀,如圖 1.2 所示[34]。化學(xué)合成法具有成本低、效率簡單、顆粒形貌易控的優(yōu)勢。但同時(shí)也存在很大的不足,如基底均勻性序、信號(hào)重現(xiàn)性較差以及制備過程中不可控因素較多等。
【學(xué)位授予單位】:四川師范大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2019
【分類號(hào)】:O43

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