【摘要】：ZnO單晶材料以其優(yōu)良的綜合性能在光電子器件方面掀起了研究熱潮,因此對ZnO單晶的研究具有重要的理論和實踐意義。采用激光輻照的方式,對ZnO單晶進行了光致發(fā)光(photoluminescence,PL)光譜實驗,分析研究了ZnO單晶在不同溫度(低溫)和不同激光能量強度照射下其光致發(fā)光特性。研究結果表明,ZnO單晶內(nèi)存在少量雜質及表面氧缺陷,這些結構對其發(fā)光特性有一定的影響;在低溫條件下,ZnO單晶具有良好的發(fā)光特性,且隨著溫度的提高,發(fā)光光譜峰的位置會向長波長方向移動,但強度會減小;當激光光源的強度增大,ZnO單晶的PL發(fā)射光譜的強度也會隨之增大,且峰的位置和相對強度不變。結合拉曼(Raman)光譜實驗,從分子及原子振動、轉動類型驗證了纖鋅礦ZnO單晶的六方晶系結構;配合X射線衍射(X-ray diffraction,XRD)技術,得出ZnO單晶良好的結晶特性以及晶軸取向。
[Abstract]:The research of ZnO single crystal has become a hot topic in optoelectronic devices because of its excellent comprehensive properties. Therefore, the study of ZnO single crystal has important theoretical and practical significance. The photoluminescence (photoluminescence,PL) spectra of ZnO single crystals were studied by means of laser irradiation. The photoluminescence characteristics of ZnO single crystals under different temperature (low temperature) and different laser energy intensity were studied. The results show that there are a small amount of impurities and surface oxygen defects in ZnO single crystals, and these structures have a certain influence on their luminescence characteristics. At low temperature, ZnO single crystal has good luminescence characteristics, and with the increase of temperature, the position of the luminescence peak will move to the direction of long wavelength, but the intensity will decrease. When the intensity of laser source increases, the intensity of PL emission spectrum of ZnO single crystal will increase, and the position and relative intensity of the peak will not change. The hexagonal structure of wurtzite ZnO single crystal was verified by molecular and atomic vibration and rotation type by Raman (Raman) spectroscopy. In combination with X-ray diffraction (X-ray diffraction,XRD) technique, the crystal properties and axis orientation of ZnO single crystal were obtained.
【作者單位】： 南京郵電大學光電工程學院;南京郵電大學Peter
【基金】：國家自然科學基金項目(61274121,61574080) 江蘇省自然科學基金項目(BK2012829) 南京郵電大學人才引進項目(NY212007) 江蘇省普通高校學術學位研究生科研創(chuàng)新計劃項目(KYLX0789)資助
【分類號】：O614.241;O734

【相似文獻】

相關期刊論文 前10條

1 徐家躍;單晶材料的新發(fā)展及其對生長技術的挑戰(zhàn)[J];人工晶體學報;2003年05期

2 趙忠賢;Bi_2Sr_2CaCu_2O_y超導單晶的研究進展[J];物理;1990年07期

3 于會永;趙有文;占榮;高永亮;惠峰;;VGF法生長的低位錯摻Si-GaAs單晶的缺陷和性質[J];半導體學報;2008年09期

4 臧永麗;N型GaP單晶范德堡測試法的最佳條件[J];聊城師院學報(自然科學版);1998年04期

5 李學千;光學技術單晶材料簡介[J];光學工藝;1978年04期

6 楊帆;楊瑞霞;陳愛華;孫聶楓;劉志國;李曉嵐;潘靜;;富磷熔體生長InP單晶的均勻性研究[J];人工晶體學報;2014年03期

7 寧吉強,楊碚芳,傅正平,王震,張庶元;碳化硅單晶材料的溶劑熱合成與表征[J];化學物理學報;2004年05期

8 ;新疆理化所高能面暴露的TiO_2納米單晶材料研究獲進展[J];人工晶體學報;2012年06期

9 丁智平,劉義倫,尹澤勇,楊治國,成曉鳴;立方晶體單晶材料屈服面的研究[J];力學與實踐;2004年04期

10 汝繼來，吳仲棠，，王仁智，殷源發(fā)，楊素玲;DD3單晶材料形變組織的再結晶動力學研究[J];材料工程;1996年12期

相關會議論文 前10條

1 郝建奎;;北京大學國產(chǎn)大晶粒和單晶材料超導腔的性能研究[A];第三屆全國加速器技術學術交流會論文摘要集[C];2007年

2 鄭安生;錢嘉裕;韓慶斌;鄧志杰;;Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體單晶材料發(fā)展動態(tài)[A];海峽兩岸第七屆照明科技與營銷研討會專題報告文集[C];2000年

3 孫貴如;李玉珍;;水平法生長GaAs單晶中砷微沉淀及碳微夾雜的研究[A];第三次中國電子顯微學會議論文摘要集（二）[C];1983年

4 孫學峰;趙志穎;王新明;;多鐵性單晶材料的低溫熱傳導性質研究[A];2011中國材料研討會論文摘要集[C];2011年

5 江民紅;鄧滿姣;涂溶;顧正飛;徐華蕊;陳國華;朱歸勝;葛伶津;劉心宇;;鈮酸鉀鈉單晶的制備、微結構及生長機理研究[A];第十六屆全國晶體生長與材料學術會議論文集-04壓電、鐵電、閃爍和其它功能晶體[C];2012年

6 殷之義;顧錦模;曹令嫻;滕志義;吳汶海;;P型PbSe單晶的低溫電阻率[A];上海制冷學會一九八九年年會論文集[C];1989年

7 趙有文;董志遠;魏學成;李晉閩;;升華法生長大尺寸AlN體單晶材料[A];第14屆全國晶體生長與材料學術會議論文集[C];2006年

8 余輝;焦景華;葉式中;;摻碲GaSb單晶材料電學性質的研究[A];首屆中國功能材料及其應用學術會議論文集[C];1992年

9 江浪;董煥麗;胡文平;;二維有機單晶膜的研究[A];第十六屆全國晶體生長與材料學術會議論文集-08納米晶體及其表征[C];2012年

10 趙有文;孫文榮;段滿龍;董志遠;楊子祥;王應利;;化合物InP、GaSb和InAs單晶材料的缺陷控制及高質量襯底制備[A];第14屆全國晶體生長與材料學術會議論文集[C];2006年

相關重要報紙文章 前2條

1 李有觀;俄羅斯研制成功新型準單晶材料[N];中國有色金屬報;2005年

2 董映璧;俄研制出一種特殊的準單晶物質[N];科技日報;2004年

相關博士學位論文 前3條

1 吳豐民;鐵電單晶鈮銦鎂酸鉛—鈦酸鉛結構及電光性質研究[D];哈爾濱工業(yè)大學;2013年

2 劉軍林;SiC單晶制備與晶體缺陷研究[D];西安交通大學;2006年

3 姜艷;幾種化合物與合金的單晶及其氧化各向異性[D];上海交通大學;2010年

相關碩士學位論文 前10條

1 高迪;單晶材料微尺度銑削工藝實驗研究[D];東北大學;2014年

2 閆潤澤;納米壓痕條件下典型紅外單晶材料的力學行為研究[D];哈爾濱工業(yè)大學;2013年

3 唐斌;弛豫鐵電單晶的生長及其相結構研究[D];西北工業(yè)大學;2002年

4 李水麗;單晶ZnO中雜質與缺陷的發(fā)光光譜研究[D];浙江大學;2013年

5 王翔;氧化物單晶材料固相轉化制備技術[D];長春理工大學;2009年

6 孫瑜;藍寶石單晶的位錯缺陷及光學性能研究[D];河北工業(yè)大學;2013年

7 丁宗富;單晶連鑄法制備銅單晶體的試驗研究[D];甘肅工業(yè)大學;2001年

8 趙國旭;SiC高溫電學特性研究[D];西安電子科技大學;2008年

9 沈國曉;考慮異向強化效應的單晶體本構關系研究[D];上海交通大學;2009年

10 趙宇;紅熒烯單晶材料與器件的制備及特性研究[D];山東大學;2014年

本文編號：2314638