發(fā)布時(shí)間：2018-08-30 20:41

【摘要】：制備了InAs/InAlGaAs/InP(001)量子線結(jié)構(gòu),利用變溫光致發(fā)光譜(PL)研究了InAs量子線的光學(xué)特性.隨溫度增加InAs量子線PL譜的發(fā)光峰位呈異常的S型變化,即:在15K~35K時(shí)峰位紅移;在35K~55K溫度范圍內(nèi)峰位發(fā)生了藍(lán)移;隨后隨溫度進(jìn)一步增加,峰位再次發(fā)生紅移.分析認(rèn)為這種S型峰位的變化可能是由于不同溫度下載流子的不同復(fù)合機(jī)制所引起的.
[Abstract]:The structure of InAs/InAlGaAs/InP (001) quantum wire was prepared. The optical properties of InAs quantum wire were studied by means of variable temperature photoluminescence spectroscopy (PL). The luminescence peaks of InAs quantum wires show abnormal S-type changes with increasing temperature, that is, the red shift of the peak at 15K~35K, the blue shift of the peak in the range of 35K~55K, and the redshift of the peak again with the increase of temperature. It is suggested that the variation of the S-type peak position may be due to the different recombination mechanism of carriers at different temperatures.
【作者單位】： 邯鄲學(xué)院機(jī)電學(xué)院;中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所半導(dǎo)體材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目(批準(zhǔn)號(hào):60990315) 國(guó)家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展規(guī)劃項(xiàng)目(批準(zhǔn)號(hào):2006CB604904) 邯鄲市科學(xué)技術(shù)研究與發(fā)展計(jì)劃項(xiàng)目(批準(zhǔn)號(hào):1621202043-1)資助的課題
【分類(lèi)號(hào)】：O471.1

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