【摘要】：垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)已成為短距離數(shù)據(jù)通信傳輸系統(tǒng)的首選光源。熱限制是VCSEL器件調(diào)制帶寬進(jìn)一步增加的一個主要的制約因素。本文基于有限元分析的方法對影響980 nm-VCSEL器件有源區(qū)溫度的參數(shù),如驅(qū)動電流、氧化孔徑尺寸、氧化層材料等做了比較分析,還數(shù)值分析了二元系Ga As/Al As材料DBR用于高速低能耗VCSEL器件的優(yōu)勢,為綠色光子器件設(shè)計提供優(yōu)化思路。
[Abstract]:Vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) has become the preferred light source for short-range data communication systems. Thermal limitation is a major constraint for the further increase of modulation bandwidth of VCSEL devices. Based on the finite element analysis method, the parameters affecting the active region temperature of 980nm-VCSEL devices, such as driving current, oxidation aperture size, oxide layer material and so on, are compared and analyzed in this paper. The advantages of binary Ga As/Al as materials used in high speed and low energy consumption VCSEL devices are also numerically analyzed, which provides an optimization idea for the design of green photonic devices.
【作者單位】： 青島科技大學(xué)數(shù)理學(xué)院;
【基金】：國家自然科學(xué)基金(11647169) 山東省自然科學(xué)基金(ZR2016FB05) 青島市自然科學(xué)基金(16-5-1-8-jch) 發(fā)光學(xué)及應(yīng)用國家重點實驗室開放基金(SKLA-2016-14)資助項目~~
【分類號】：TN248

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本文編號：2138018