本文選題：鈀 + D-D核反應(yīng)　； 參考：《核技術(shù)》2017年02期

【摘要】：氫同位素在鈀中的沉積行為與它在鈀靶中的溶解度、擴(kuò)散速率以及缺陷的束縛有關(guān)。為研究氘離子在鈀中的沉積行為,利用氘離子誘發(fā)D-D核反應(yīng)的方法研究了氘在鈀中的動(dòng)態(tài)和靜態(tài)濃度,并建立擴(kuò)散模型對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行了分析。研究發(fā)現(xiàn),除穩(wěn)定束縛在缺陷中的氘之外,束流注入時(shí)動(dòng)態(tài)氘濃度還包含自由擴(kuò)散的氘以及非穩(wěn)定束縛態(tài)氘;自由擴(kuò)散的氘以及非穩(wěn)定束縛態(tài)氘隨著氘離子的注入而增加,當(dāng)注入達(dá)到飽和后,這兩部分氘濃度處于動(dòng)態(tài)平衡狀態(tài),停束后將迅速減少直至消失;由于輻照損傷所造成的缺陷存在飽和值,穩(wěn)定束縛在缺陷中的靜態(tài)氘濃度為x=(0.42±0.03)%;結(jié)合模擬計(jì)算,發(fā)現(xiàn)鈀的缺陷對(duì)氫同位素的吸附系數(shù)、解吸附系數(shù)及其比值k_A/k_D與材料損傷特性及氫同位素的注入方式有關(guān)。
[Abstract]:The deposition behavior of hydrogen isotopes in palladium is related to its solubility, diffusion rate and imperfection binding in the palladium target. In order to study the deposition behavior of deuterium ions in palladium, the dynamic and static concentrations of deuterium in palladium were studied by deuterium ion-induced D-D nuclear reaction, and the experimental results were analyzed by a diffusion model. It is found that in addition to the deuterium bound in the defect, the dynamic deuterium concentration during beam implantation also includes deuterium with free diffusion and deuterium in unsteady bound state, and the deuterium and unsteady bound deuterium in free diffusion increase with the implantation of deuterium ion. When the injection reaches saturation, the deuterium concentration of the two parts is in a dynamic equilibrium state, and the deuterium concentration decreases rapidly until it disappears after stopping the beam. The static deuterium concentration bound to the defects is x = (0.42 鹵0.03), and it is found that the adsorption coefficient of hydrogen isotope, desorption coefficient and the ratio of K _ S / k _ D of PD defects are related to the damage characteristics of the material and the way of hydrogen isotope injection.
【作者單位】： 蘭州大學(xué)核科學(xué)與技術(shù)學(xué)院;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(No.11275085、No.11305080、No.11405079) 中央高�；究蒲袠I(yè)務(wù)費(fèi)(No.lzujbky-2016-36) 日本科研補(bǔ)助金(No.19340051)資助~~
【分類(lèi)號(hào)】：O571.42

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本文編號(hào)：2082536