本文選題：Tersoff勢 + 力匹配　； 參考：《華東師范大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版)》2017年04期

【摘要】：為了實(shí)現(xiàn)Ag在SiC晶體中擴(kuò)散的分子動(dòng)力學(xué)模擬,根據(jù)第一性原理計(jì)算結(jié)果,采用"力匹配"方法對(duì)Ag、Si和C原子間相互作用勢進(jìn)行擬合,并用晶格常數(shù)、內(nèi)聚能、體彈性模量、彈性常數(shù)和缺陷形成能等進(jìn)行了勢函數(shù)的驗(yàn)證.結(jié)果表明,擬合所得的勢對(duì)Si、C和SiC晶體的內(nèi)聚能、晶格常數(shù)和體彈性模量的計(jì)算非常準(zhǔn)確,最大誤差不超過0.6%;并且,該勢對(duì)Si和C晶體中空位與間隙形成能及SiC晶體中Si與C空位形成能的計(jì)算值比采用J.Tersoff給出的勢的計(jì)算值更精確;此外,該勢對(duì)16種AgSiC三原子體系缺陷形成能的計(jì)算也比較精確.
[Abstract]:In order to realize the molecular dynamics simulation of Ag diffusion in sic crystal, the interaction potential between AgN Si and C atoms was fitted by force matching method according to the first principle calculation results, and the lattice constant, cohesive energy and bulk elastic modulus were used. The elastic constants and the formation energy of defects are verified by the potential function. The results show that the calculated potential is accurate for the cohesive energy, lattice constant and bulk elastic modulus of Si-C and sic crystals, and the maximum error is not more than 0.6. The calculated energy of vacancy and gap formation in Si and C crystals and that of Si and C in sic crystals are more accurate than those given by J. Tersoff. The calculation of the formation energy of 16 kinds of AgSiC triatomic system defects is also accurate.
【作者單位】： 華東師范大學(xué)物理與材料科學(xué)學(xué)院;中國科學(xué)院上海應(yīng)用物理研究所;
【分類號(hào)】：O469

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本文編號(hào)：2001585