本文選題：GaN + 光電陰極　； 參考：《物理學(xué)報(bào)》2017年06期

【摘要】：從變摻雜負(fù)電子親和勢(shì)(NEA)Ga N光電陰極材料的光電發(fā)射機(jī)理入手,給出了反射式變摻雜NEA Ga N光電陰極內(nèi)建電場(chǎng)和量子效率的計(jì)算公式.利用初步設(shè)計(jì)的變摻雜NEA Ga N光電陰極,介紹了變摻雜NEA Ga N陰極的激活過程和激活光電流的變化特點(diǎn).結(jié)合國(guó)內(nèi)外典型的變摻雜NEA Ga N陰極的量子效率曲線,分析了Ga N光電陰極量子效率曲線的特點(diǎn).結(jié)果顯示:由于內(nèi)建電場(chǎng)的存在,反射式變摻雜NEA Ga N光電陰極量子效率在240 nm處即可達(dá)到56%,在較寬的入射光波長(zhǎng)范圍內(nèi),陰極具有相對(duì)平穩(wěn)的量子效率,量子效率值隨入射光子能量的增加而增加,并且量子效率曲線在閾值附近表現(xiàn)出了明顯的銳截止特性.
[Abstract]:Based on the photoemission mechanism of variable-doped negative electron affinity potential (NEA) Ga N photocathode materials, the formulas for calculating the internal electric field and quantum efficiency of reflective variable-doped NEA Ga N photocathodes are presented. The activation process and the characteristics of active photocurrent of variable-doped NEA Ga N photocathodes are introduced using the preliminary design of variable-doped NEA Ga N photocathodes. The characteristics of quantum efficiency curves of gan photocathodes are analyzed based on the quantum efficiency curves of variable-doped NEA Ga N cathodes at home and abroad. The results show that the quantum efficiency of reflective variable-doped NEA Ga N photocathodes can reach 56 at 240nm due to the existence of an internal electric field, and the cathode has a relatively stable quantum efficiency in a wide range of incident wavelength. The quantum efficiency increases with the increase of incident photon energy, and the quantum efficiency curve shows sharp cutoff near the threshold.
【作者單位】： 南陽理工學(xué)院電子與電氣工程學(xué)院;南京理工大學(xué)電子工程與光電技術(shù)學(xué)院;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(批準(zhǔn)號(hào):61371058)資助的課題~~
【分類號(hào)】：O462.3

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本文編號(hào)：1881876