本文選題：激光器　切入點(diǎn)：垂直腔面發(fā)射激光器　出處：《中國(guó)激光》2017年03期

【摘要】：根據(jù)分布布拉格反射鏡(DBR)的工作原理,優(yōu)化量子阱(QW)和DBR結(jié)構(gòu),采用Crosslight計(jì)算機(jī)模擬軟件模擬了垂直腔面發(fā)射半導(dǎo)體激光器(VCSEL)的反射譜和QW增益譜,確定QW組分、厚度以及DBR的對(duì)數(shù)。采用分子束外延技術(shù)外延生長(zhǎng)并制備了850nm頂發(fā)射VCSEL。測(cè)試結(jié)果表明,阱寬為5nm的In_(0.075)Ga_(0.925)As/Al_(0.35)Ga_(0.65)As QW,在室溫下激射波長(zhǎng)在840nm左右,設(shè)計(jì)的頂發(fā)射VCSEL結(jié)構(gòu)通過(guò)Ocean Optics Spectra Suite軟件驗(yàn)證,得到室溫下的光譜中心波長(zhǎng)在850nm附近,證實(shí)了結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的正確性。
[Abstract]:According to the working principle of distributed Bragg reflector (DBR), the QW and DBR structures are optimized. The reflection spectrum and QW gain spectrum of Vertical cavity Surface emitting Semiconductor Laser (VCSELL) are simulated by Crosslight computer simulation software, and the QW components are determined. The thickness and logarithm of DBR were grown by molecular beam epitaxy (MBE) technique and 850nm top emission VCSELs were prepared. The results show that the In_(0.075)Ga_(0.925)As/Al_(0.35)Ga_(0.65)As QW with well width of 5nm is at about 840nm at room temperature. The designed top-emitting VCSEL structure is verified by Ocean Optics Spectra Suite software, and the spectral center wavelength at room temperature is near 850nm, which proves the correctness of the structure design.
【作者單位】： 長(zhǎng)春理工大學(xué)高功率半導(dǎo)體激光國(guó)防科技國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(11474038,61376045) 長(zhǎng)春理工大學(xué)基金(XJJLG-2015-10)
【分類(lèi)號(hào)】：TN248.4

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本文編號(hào)：1681203