發(fā)布時(shí)間：2018-03-21 04:21

  本文選題：單分子磁體　切入點(diǎn)：率方程　出處：《山西大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版)》2017年02期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：基于率方程研究了溫差驅(qū)動的單分子磁體中,門電壓誘導(dǎo)的磁滯效應(yīng)。當(dāng)門電壓從某一負(fù)值緩慢地增加到某一正值再從該正值返回到負(fù)值時(shí),分子磁體磁化強(qiáng)度對門電壓的響應(yīng)曲線不重合,而是一條閉合磁滯回線。這種磁滯效應(yīng)是分子磁體的宏觀量子效應(yīng),只出現(xiàn)在低溫下,可以從分子態(tài)占據(jù)概率對門電壓的依賴來解釋。此外,還討論了溫度、鐵磁電極極化率以及交換作用對磁滯回線所圍面積的影響。
[Abstract]:Based on the rate equation, the hysteresis effect induced by gate voltage in monolayer magnets driven by temperature difference is studied. When the gate voltage slowly increases from a certain negative value to a positive value and then returns to a negative value from that positive value, The magnetization response curve of molecular magnets does not coincide with the gate voltage, but a closed hysteresis loop. The hysteresis effect is a macroscopic quantum effect of molecular magnets, which only occurs at low temperature. The dependence of the molecular state occupation probability on the gate voltage can be explained. In addition, the effects of temperature, polarizability of ferromagnetic electrode and exchange action on the area around the hysteresis loop are discussed.
【作者單位】： 山西大學(xué)理論物理研究所;
【基金】：國家自然科學(xué)基金(11274208)
【分類號】：O561

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本文編號：1642233